§7.1 理想的MOS结构 §7.2 MOS结构的CV特性 §7.3 非理想（实际）MOS结构

一．固定输出电压工作方式 按LINE键到ON的位置，在输出端开路的情况下，转 动VOLTAGE控制旋钮到所需要的输出电压值，CV（固定 电压）的指标灯亮。 再按下CC SET键，转动CURRENT旋钮，设定电流 极限值。如工作中因某种原因达到了极限电流，电流不会 再增长，电源会自动转换到固定电流工作方式，并相应降 低输出电压保护电源

一、孤立导体的电容 1.电容的定义 电荷在导体表面的分布必须保证满足导体的静电平衡条件。对于孤立导体,电荷在导体表面的相对分布情况由导体的几何 形状唯一确定,因而带一定电量的导体外部空间的电场分布以及导体的电势亦完全确定.根据叠加原理,当孤立导体的电量增 加若干倍时,导体的电势也将增加若干倍,即孤立导体的电势与其电量成正比 =Cv 比例系数C称为孤立导体的电容

1.电容的定义 电荷在导体表面的分布必须保证满足导体的静电平衡条件。对于孤立导体,电荷在导体表面的相对分布情况由导体的几何 形状唯一确定,因而带一定电量的导体外部空间的电场分布以及导体的电势亦完全确定.根据叠加原理,当孤立导体的电量增 加若干倍时,导体的电势也将增加若干倍,即孤立导体的电势与其电量成正比: q=cV 比例系数C称为孤立导体的电容

根据对比态理论得到了通用压缩因子,解决了实际气体的P、 V、T的计算。那么实际气体的热量参数H、S、CP、Cv如何计算? 理想气体热量已经过系统实验和计算,可查有关手册,实际气体 热量参数的计算主要是计算它用理想气体的偏差。这种方法认为, 凡是与临办压缩性系数cr相近的气体,都可看作热力学相似物 质,不仅它很对比参数遵守对比态定律,而且它们的热量参数同 理想气体状态下的热量参数之并也可表示为对比参数的同一形式 的函数

本章首先介绍结构化的程序设计的基本方法;其次介绍数据结构与算法在程序设计中的地位和重要性;最后介绍C语言的特点、基本结构及调试方法。 1.1结构化的程序设计的基本方法 1.2数据结构与算法 1.3语言概述 1.4 Turbo CV22.0的基本操作

9-6阻尼振动受迫振动共振 一、阻尼振动 现象:振幅随时间减小 原因:阻尼 阻力系数 动力学分析:阻尼力F=-Cv

第二章小结 2.1误差的基本概念:准确度(T、E、E2) 与精密度、误差与偏差、系统误差与随机 误差; x 2.3有限数据的计处理:、、R、 RR、d、Rd;、、、、CV; 异常值的检验(Q检验法); 2.4测定方法的选择和测定准确度的提高 2.5有效数字:定义、修约规则、运算规则 、报告结果

一、是否题 1.纯物质由蒸汽变成固体,必须经过液相。 2.纯物质由蒸汽变成液体,必须经过冷凝的相变化过程。 3.当压力大于临界压力时,纯物质就以液态存在。 4.由于分子间相互作用力的存在,实际气体的摩尔体积一定小于同温同压下的理想气体 的摩尔体积,所以,理想气体的压缩因子Z=,实际气体的压缩因子Z<1 5.理想气体的U,Cv,H,Cp虽然与P无关,但与V有关。 6.纯物质的饱和液体的摩尔体积随着温度升高而增大,饱和蒸汽的摩尔体积随着温度的 升高而减小