第五章放大电路的频率响应 自测题 一、选择正确答案填入空内。 (1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响 应,条件是 A.输入电压幅值不变,改变频率 B.输入电压频率不变,改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 (2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是,而 低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 A耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C半导体管的非线性特性 D放大电路的静态工作点不合适

本文梳理了国内外专家、学者对全渠道零售、全渠道整合、供应链管理等相关文献，通过分析安乐美公司的渠道现状，剖析了产生渠道不融合的具体原因，提出了全渠道融合策略及实施保障措施。主要包括：一是介绍了安乐美公司的概况。用PEST法分析了安乐美公司所处的外部宏观环境，并运用波特五力分析模型对安乐美公司所在的国内花草茶行业的基本竞争态势进行了分析。二是对安乐美公司的渠道现状进行了分析和研究，剖析了产生渠道不融合的具体原因。三是针对乐安美公司的渠道不融合问题，提出全渠道整合策略，并就产品整合、服务整合、支付方式整合、终端会员资源整合和全渠道业务流程整合，给出了相应的实施路径。四是制定了乐安美公司全渠道整合策略的实施计划，并提出了实施全渠道整合策略的六大保障措施

教学要求： 1．熟悉镧系元素的电子结构、名称，镧系收缩概念及其产生的原因和影响； 2．了解镧系元素的存在，制备及用途； 3．重点掌握镧系元素氧化物，氢氧化物的性质； 4．了解镧系元素的分离方法，特别注意溶剂萃取法及离子交换法的原理； 5. 简单了解锕系元素电子结构、名称及与镧系元素的相似性。 18.1 镧系元素 Lanthanides 18.1.1 基本性质概述 Generality of basic properties 18.1.2 重要化合物 Important compounds 18.1.3 镧系元素的相互分离 Interseparation lanthanides 18.1.4 存在、提取和应用 Occurrence, abstraction and applications 18.2 锕系元素简介 Introduction of actinides

10.1 平板X射线成像的物理过程 10.2 平板X射线成像器件的主要技术指标 10.3 有源平板x射线成像器件的像素结构与工作原理 10.4 平板X射线成像系统架构 10.5 平板X射线成像器件的应用

7.1 平板显示器的构成与性能参数 7.2 液晶的电光响应特性 7.3 TFT-LCD像素架构 7.4 TFT-LCD的像素级驱动原理 7.5 TFT-LCD的驱动系统 7.6 α-Si:H TFT背板制造技术 7.7 LTPS TFT-LCD中的集成技术 7.8 低功耗TFT LCD 7.9 LTPS TFT 背板制造工艺技术

6.1 有机半导体中的电子状态与载流子 6.2 载流子的注入与传输机理 6.3 OTFT的结构、原理与特性 6.4 OTFT中的关键材料 6.5 有机半导体材料的成膜技术 6.6 OTFT中的掺杂 6.7 OTFT中的图形化技术

5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性

4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术

3.1 α-Si:H半导体的物理基础 3.2 α-Si:H TFT 的工作原理与特性 3.3 α-Si:H TFT中的关键材料 3.4 α-Si:H TFT 电性能的稳定性

安徽建筑工业学院：《弹性力学》第二章 平面问题的基本理论 2.6 边界条件 2.7 圣维南原理（局部性原理）