The effects of different firing temperatures on the stability of perovskite phase, grain size, and dielectric properties were investigated by XRD, TEM, SEM and dielectric measurements. The dielectric ceramics of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-BaTiO3 system were obtained by chemical coprecipitation in water. The ceramics have higher dielectric constant (7003-9714), lower firing temperature (950-1150℃), quite uniform microstructure with grain size less than 2.5μm, and lower temperature coefficients of capacitance. As a result, it was confirmed that the simple and low cost chemical route used namely coprecipitation in water is a desired meth-od for preparing high property dielectric materials applicable to multilayer capacitors

第九章酸性岩类 一、概述 化学成分本类岩石的特点是SiO2含量高(>66%),一般66~78%,属 酸性过饱和岩石。碱质(K2O+Na2O)含量较高,约为7~8%Mgo、FeO、 CaO含量低

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

采用还原焙烧、磁选工艺流程和粉矿直接入炉焙烧技术,对难选低品位硼铁矿中硼的富集进行了研究.按化学当量比C/O=1(原子比)进行配碳,使用马弗炉进行焙烧实验,在500~1 450℃研究了不同焙烧温度下硼品位和硼回收率的变化.研究结果表明:随着焙烧温度的提高,铁晶颗粒增大,在1 200℃时硼精粉品位达到14.29%,满足硼化工工业对硼品位的要求(ω(B2O3) ≥ 12%);硼回收率在1 200℃以上时能达到90%以上.当焙烧温度在1 350℃以上时,硼的回收率和品位没有太大的变化.焙烧温度选择在1 200~1 350℃为宜,既能实现高的硼回收率,硼品位又能满足硼化工工业的要求

第11章羧酸和取代羧酸 11.1羧酸的结构 羧酸的官能团是羧基(-OOH) 羰基中C、O和羟基中O均为sp2杂化,C形成四电子三中心的pπ共轭体系(H)ROH在羧基中,既不存在典型的醛酮的羰基,也不存在典型的醇羟基,而是二者相互作用形成的统一体

研究了利用(KOH+K3(Fe (CN)6)+H2O和H2SO4+H2O2)两种溶液浸蚀硬质合金基体,分别选择性刻蚀WC和Co的表面预处理过程.在浸蚀过的硬质合金基体上,用强电流直流伸展电弧等离子体CVD法沉积金刚石薄膜涂层.结果表明,两步混合处理法不仅可以有效地去除硬质合金基体表面的钻,而且还显著粗化硬质合金基体表面,提高了金刚石薄膜的质量和涂层的附着力

实验研究了1600℃时，不同C-ZnO配比条件下，Al2O3-ZnO-C及Al2O3-ZnO-Al复合脱铜剂的钢液脱铜效果.对氧化物复合脱铜剂的脱铜原理，脱铜步骤及提高脱铜效率的因素进行了分析讨论

自Ox轴的原点 O作一矢量,使 它的模等于振动的 振幅A,并使矢量才 在Oxy平面内绕点 O作逆时针方向的 匀角速转动,其角 速度ω与振动频率 相等,这个矢量就 叫做旋转矢量

1质量为m的物体,由水平面上点O 以初速为v抛出,与水平面成仰角,若 不计空气阻力,求:(1)物体从发射点O到 最高点的过程中,重力的冲量;(2)物体从 发射点到落回至同一水平面的过程中,重力的冲量

32-8 Lorentz Transformation (LT) P747-749 (洛沦兹变换) Assume two inertial reference frames: S, S' O,o 'coincide’(重合 superimposed) at time:t=0 S为静系,S以υ沿ox轴向右运动(开始时,两 个坐标系原点重合)