第一节 配位化合物的基本概念 第二节 配位平衡 第三节 螯合物 第四节 配位化合物的应用

文件给制实施规定的实例(GB8567-88) 尽管在文件编制中存在着很多灵活性,然而,文件的编制确实是非常必要 的,其意义如前所述。为了控制这种灵活性,保证文件编制能达到应该达到的 目的,对于具体的软件开发任务,应编制的文件的种类、详细程度应取决于承 担开发单位的管理能力、任务的规模、复杂性和成败风险等因素。一个软件开 发单位应该根据本单位经营承包的应用软件的专业特点和本单位的管理能力, 制定一个文件编制实施规定,说明在什么情况下应该编制哪些文件

正确推导 1-12解一720000,计算有利场合数 有一位85832 有两位8 7 6878 有三位87 有四位8—

一、配位滴定法 配位滴定法:是以配位反应为基础的一种滴定分析方法,常用于测定金属离子

一、位移计算的一般公式 (General Formula of Displacements) 将虚功原理用于实际协调位移和虚设平衡力状态间已介绍过单位荷载法

针对有色金属冶炼烟气中湿法脱汞过程产生的硫脲汞溶液难处置的问题，研究提出了电沉积从硫脲汞溶液中回收汞的新工艺。采用线性电位扫描法得到汞电沉积过程的阴极极化曲线，考察了不同杂质离子对硫脲汞溶液阴极极化曲线的影响。结果显示，在控制阴极电位为?0.55～?0.45 V的条件下，溶液中的汞可选择性沉积，溶液中Fe3+、Cu2+和H2SO3并不会影响溶液中汞的电沉积，即汞选择性电沉积的电位为?0.55～?0.45 V。采用控电位技术对硫脲汞溶液电解回收汞工艺进行研究，探究了电解质种类和浓度、电解液温度、搅拌速率、电解时间等因素对汞回收效率的影响。得到在阴极材料为铜片的条件下，最佳的电解工艺参数：电解质为0.24 mol·L?1 Na2SO4，电解液温度为30～40 ℃，搅拌速度为100～300 r·min?1，$ {\\rm{SO}}^{2-}_{3}$

教学内容及教学过程 一、虚位移 菲自由质点或质点系的约束将限制质点或质点系沿某些方向的位移,但同时也允许沿另外一些方 向的位移。例如: 线 (x,y,2)=0 (a) (b) 虚位移:在给定瞬时(时间凝固),质点或质点系为约束允许的任何无限小位移。如果为质点系, 则其虚位移是指在不破坏约束的前提条件下,质点系一组几何相容的虚位移。 虚位移的特点: 1、虚位移必须指明给定的瞬时或位置

8.1 芳香烃分类与苯的结构 8.2.5 苯环侧链的α-H的 芳 烃 类与苯 8.1.1 芳香烃的分类 苯的结构 卤化反应 8.1.2 苯的结构 8 3 苯环上亲电取代反应 8.2 单环芳烃的化学性质 8.3 苯环上亲电取代反应 定位规律 8.2.1 苯环上亲电取代反应 822 苯环上的自由基取代 8.3.1 相对反应活性和定 8.2.2 苯环上的自由基取代 位效应的测定 反应 位效应的测定 8.3.2 苯环上亲电取代定 8.2.3 氧化反应 824 还原反应 位规律 8.2.4 还原反应 8 4 多环芳烃 2 8.4 多环芳烃 8.4.1 多苯代脂烃 8.5 芳香性及非苯芳烃 8.4.2 联苯型芳烃 稠 芳烃 8 5 芳香性及非苯芳烃 8.5.1 Hückel规则——芳 8.4.3 稠环芳烃 8.4.4 足球烯与碳纳米管 香性的判据 8.5.2 非苯芳烃

基于实际的工程参数建立了高压直流干扰电场计算模型，利用数值模拟计算技术对高压直流干扰大幅值管地电位的产生原因进行探究。考察接地极与管道之间的间距、管道防腐层类型、管道长度及土壤结构等因素对高压直流干扰下管地电位的影响规律，得到高压直流干扰大幅值管地电位是在接地极与管道距离较近、防腐层的绝缘性能较高、管道长度较大及上低下高的土壤电阻率分层结构共同作用下产生的

9.1配合物的组成和命名 一、配合物的定义 凡含有配离子的化合物称为配位化合物,简称配合物。 二、配合物的组成 配合物由内界和外界两部分组成。在配合物内,提供电子对的分子或离子成为称为配位体;接受电子对的离子或电子称为配位中心离子;中心离子与配位体结合构成内界;配合物中的其他离子,构成配合物的外界