5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

§3.1 场效应管 §3.2 场效应管放大电路静态工作点置计方法 §3.3 场效应管放大电路动态分析

一、给定导体系中各个导体的总电量Qk,求解空间电场分布,(有时也要求各导体的电荷分布) 二、给定导体系中各导体的电势Uk,求解空间电场分布 三、在一定的边值条件下求解静电场的分布称为静电场的边值问题

一、给定导体系中各个导体的总电量Qk,求解空间电场分布,(有时也要求各导体的电荷分布) 二、给定导体系中各导体的电势Uk,求解空间电场分布 三、在一定的边值条件下求解静电场的分布称为静电场的边值问题

一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 四、复合管

十九世纪前,人们认为电和磁互不相关。 1820年,丹麦科学家奥斯特发现了电流的磁效应 1831年,英国物理学家法拉第发现了电磁感应现象。 变化的磁场产生电场 提出:变化的电场产生磁场?电场和磁场能否统一? 1864年,英国物理学家麦克斯韦提出了“涡旋电场” 和“位移电流”两个假说。总结出描写电磁场的一组 完整的方程式~麦克斯韦方程组。 预言:电磁波的存在,其在真空的速度与光速相同。 1886年,德国物理学家赫兹从实验中证实了麦克斯 韦关于电磁波的预言

§5-1结型场效应管JFET §5-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §5-3场效应管放大电络

3. 1 结型场效应管（JFET） 3. 2 绝缘栅场效应管（MOSFET） 3. 3 场效应管电路的分析方法及应用

《向量分析与场论基础》就是关于场的数学刻画、描述以及场特征的一般分析。 一、物理量的分类 1、标量:只有大小,没有方向的物理量例如温度、能量等

电磁兼容简介 导体交流内阻抗 涡流及其损耗 集肤效应与邻近效应 电准静态场与电荷驰豫 磁准静态场与集总电路 电准静态场与磁准静态场