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《有色金属材料与工程》:GaN基激光器的研究进展(上海理工大学材料科学与工程学院)
文档格式:PDF 文档大小:1.12MB 文档页数:7
GaN材料作为第三代半导体材料具有十分独特的性能,其发光波段可以覆盖从红外到深紫外波段。GaN材料击穿电场强、发光效率高使其在显示、照明、通信等领域具有非常广泛的应用
《摩擦学——摩擦与磨粒》课程教学资源(PPT课件)第五章 减摩材料和摩阻材料
文档格式:PPT 文档大小:36KB 文档页数:8
一、按工况条件和使用要求 二、摩擦副材料分3大类: 三、耐磨材料、 四、减摩材料、 五、摩阻材料
贮热材料四氯合金属酸(Ⅱ)二烷基铵固-固相变动力学
文档格式:PDF 文档大小:416.74KB 文档页数:4
热致相变贮热材料四卤合金属酸(Ⅱ)二烷基铵具有层状钙钛矿结构,通过晶型有序-无序转变能可逆地固-固相变贮热.合成了两种材料四氯合锰酸十二铵n-(C12H25NH3)2MnCl4和四氯合锰酸十四铵n-(C14H29NH3)2MnCl4,并在两种材料的乙醇溶液中结晶出一系列二元混合体系.对纯组分及各个二元体系利用差示扫描量热(DSC)测定了热分析曲线,采用Kissinger和Ozawa两种动力学模型研究了材料的非等温固-固相变动力学,计算了固-固相变过程的活化能和反应级数.两种方法的计算结果相一致.随着C12Mn质量分数的增加,二元体系表观活化能Ea值呈波动变化.CnMn及二元体系的反应级数均接近于1
西安建筑科技大学:《材料研究与测试方法 Analytical methods of materials》课程教学大纲(张颖)
文档格式:DOCX 文档大小:21.99KB 文档页数:6
1、课程性质 材料研究与测试方法是材料学专业学生重要的专业基础课。 2、课程的目的和任务 讲述无机非金属材料的分析方法,主要包括光学显微分析、X 射线衍射分析、电子显 微分析、热分析、光谱分析等,通过课程的学习使学生对各种现代分析方法有一个初步的 认识,能够了解各种分析方法的基本原理、过程、装备及应用,掌握相应的基本知识、基 本技能及必要的理论基础,为无机非金属材料工艺学的学习及今后的科学研究工作打下坚 实的基础
制备介孔复合环境材料的酸洗刻蚀工艺
文档格式:PDF 文档大小:383.81KB 文档页数:3
探索了一种制备介孔复合环境材料的方法——破坏式造孔与有机复合相结合,使最终产品可大量吸附污染水体中的各种污染物并具有一定的杀菌功能.该方法通过酸洗刻蚀,达到了去除原材料中的杂质和刻蚀孔径的目的,所制备的中间产品24 h吸湿率为原材料的2倍,染料吸附量为原材料的1.6倍
《复合材料 Composites》课程教学资源(学习资料)第一章 复合材料基础_航空航天复合材料发展现状及前景(唐见茂)
文档格式:PDF 文档大小:530.77KB 文档页数:8
文章通过空客A-350XWB飞机和波音公司B-787飞机复合材料之战的实际案例,介绍了航空航天应用复合材料,特别是碳纤维增强树脂基复合材料(CFRP)的发展现状、特点以及航空航天复合材料结构一体化综合等新技术,并对未来发展前景进行讨论
Si对无压浸渗SiCp/Al复合材料显微组织与热导率的影响
文档格式:PDF 文档大小:885.37KB 文档页数:5
研究了Al-8Mg基体中添加Si对无压浸渗SiCp/Al复合材料显微组织和热导率的影响.结果表明,Si能够改善Al与SiC的润湿性,减少复合材料孔隙度,抑制界面反应,提高相对密度.不含Si时,Al与SiC界面反应严重,并且润湿性较差,导致复合材料的热导率和相对密度较低;当基体中添加质量分数12%的Si时,界面反应受到完全抑制,热导率取得最大值;进一步提高基体中Si含量,由于铝基体的热导率随Si含量的增加而降低,导致复合材料的热导率也随之降低
利用烧结脱硫灰-高炉矿渣-水泥熟料制备胶凝材料
文档格式:PDF 文档大小:956.03KB 文档页数:8
为了解决炼铁高炉矿渣、脱硫副产物大量堆积产生的环境问题,实验中利用钢渣、脱硫灰及水泥熟料制备复合胶凝材料.在加水预处理的条件下,随着脱硫灰掺量的增加,胶凝材料的强度呈先增加后变小的趋势,当脱硫灰的氧化温度为550℃、氧化时间为30 min以及掺量为5%时所制得的胶凝材料可获得较好的反应性能.该胶凝材料强度能够达到GB 1344-1999中52.5R水泥强度的要求
西安建筑科技大学:《材料物理性能》课程教学资源(授课教案)第八章 材料的磁学性能
文档格式:PDF 文档大小:540.28KB 文档页数:10
1材料的磁性概述 2材料的抗磁性与顺磁性理论 3材料的铁磁性理论 4材料的磁弹性能 5动态磁化特征
西安交通大学:《芯片制造-半导体工艺实用教程》 第四章 芯片制造概述
文档格式:PPT 文档大小:2.44MB 文档页数:10
一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)
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