4.1 电火花加工方法 4.2 电火花加工准备工作 4.3 加工规准转换及加工实例 4.4 电火花加工中应注意的一些问题

一、滚塑成型 1.原理 用两瓣密闭模,将相当于制品重量的塑料量注入,同时 以异向回转并在熔融炉内加热,这时塑料体即均匀贴于內 壁而熔融塑化,成为制品

3.1概述 在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战

绪论 0.前言 1.IC的分类 2.描述IC工艺技术水平的五个技术指标 3.微电子科学技术的发展历史 4.微电子发展的规律 5.半导体IC技术发展趋势 6.我国微电子发展概况

材料科学的发展需要有现代分析方法作 为基础和支撑 确定材料的成分和体系(金属、陶瓷、高分子、复合材料 ;结构、功能材料)后,再结合制造加工工艺的优化,改变 和控制晶体结构及显微组织,这样,才能使材料的使用性能 提高到一个新的水平

一、化工过程开发的含义和步骤开发基础研究 初步筛选原料路线;了解过程特征;归纳工艺条 件;拟定分析方法。 二、、过程研究 工程研究概念设计

根据发展需要,现申请塑胶模具、五金模具、五金产品、电子产品、塑胶产品的生产,设计年产量分别为2万套、1万套、1万件、5000件、5000件,主要生产工艺为车床加工、CNC加工、铣床加工、去毛刺、组装、品检,不从事除油、酸洗、喷漆、喷塑、电镀、印刷电路板等生产

项目总投资4900万元,租赁厂房建筑面积1300平方米,拟定员工50人。项目建设性质为迁改建，主要工艺为:固晶、邦定、点胶、组装、测试、包装

采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料，并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌，测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度.结果表明，通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料，其致密度高，热膨胀系数可控，材料中Al基体相互连接构成网状，SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中.随着SiC颗粒体积分数的增加，电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加，热膨胀系数逐渐减小，室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加.SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂，同时伴随着Al基体的韧性断裂

采用扫描电子显微镜(SEM)、电子背散射衍射分析技术(EBSD)和透射电子显微镜(TEM)等实验手段,研究了不同淬火-回火热处理工艺制度对X80管件钢组织性能的影响.结果表明:一次930℃淬火后,随着回火温度的升高,实验钢屈服强度先升高后降低,在630℃达到最大值588MPa;抗拉强度随回火温度升高持续下降,680℃时降至630MPa.二次两相区淬火,经630℃回火后,X80管件钢有最佳的综合力学性能,-50℃冲击韧性显著提高,Ak达到210J.这是由于二次淬火温度在860℃两相区时,组织中奥氏体晶粒大幅细化,经630℃回火后,细晶马氏体组织中出现位错亚结构的回复软化、板条边界钝化和块状M-A组元分解产生的析出强化机制综合作用的结果