(1)导体内部任何一点处的电场强度为零; (2)导体表面处的电场强度的方向都与导体表面垂直导体表面是等势面

§4-1 结型场效应管JFET §4-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §4-3 场效应管放大电络

教学目标： 1、掌握光的各种干涉装置和干涉仪，光的干涉现象及其应用。 2、掌握分波前法，分振幅法分解波列的方法。 3、掌握光场的空间相干性和时间相干性概念。 §1 分波前干涉装置 光场的空间相干性 §2 薄膜干涉（一）——等厚条纹 §3 薄膜干涉（二）——等倾条纹 第三章 干涉装置 光场的时空相干性

静态场的工程应用 一、静态场特性 二、泊松方程和拉普拉斯方程 三、静态场的重要原理和定理 四、镜像法 五、分离变量法 六、复变函数法

一、矢量和标量的定义 二、矢量的运算法则 三、矢量微分元：线元，面元，体元 四、标量场的梯度 六、矢量场的旋度 五、矢量场的散度 七、重要的场论公式

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

第五章:静电场 1.理解描述电场的物理量一电场强度和电势的含义:

§5-1结型场效应管JFET §5-2 金属-氧化物-半导体场效应管 §5-3场效应管放大电络

一、静电场力所做的功 二、静电场的环路定理

（1） 曲线上每一点切线方向为该点电场方向, （2） 通过垂直于电场方向单位面积电场线数为