采用传统氧化物法制备了具有成分分子式为Ni0.5-xZn0.5CoxFe2O4(x=0,0.01,0.02,0.03)的高频功率NiZn铁氧体,并主要研究了其磁性能在-40~200℃宽温范围内随温度的变化关系.同时,还研究了Co3+的添加量对样品的高温功耗的影响.结果表明,适量地添加Co3+有助于铁氧体晶粒的均匀细化,高频功率NiZn铁氧体的起始磁导率和功率损耗的温度特性也得到了改善,功耗谷底温度随Co3+含量的增加逐步向低温方向移动.在-40~200℃宽温范围内,成分分子式为Ni0.49Zn0.5Co0.01Fe2O4的样品不但具有极低的高频宽温功耗,而且具有良好的温度稳定性,其磁导率比温度系数为3×10-6℃-1,同时其在高温(100~200℃)下的功耗变化范围仅为130~140kW·m-3,最低仅为130kW·m-3(1MHz,10mT)

采用固相法合成了锂钛复合氧化物Li4Ti5O12研究了保温时间对其结构及电化学性能的影响.结果表明,保温时间为2,4h时样品的循环性能比较好,在80mA/g充放电下,30次循环后的比容量可高达159mAh/g

模拟埋地钢管上可能形成的宏电池现象,在实验室以3.5%NaCl溶液和自制装置研究了O2/N2、O2/空气和N2/空气3种金属的腐蚀强度变化。分别测定了ig~t和Eg~t行为及阳极金属的失重腐蚀速度;提出了宏电池效应系数(r=iaA/ikA),并用来表征宏电池实际作用强度证明其相关性良好。结果表明,3种宏电池的作用规律相同,且随氧浓差异增大,宏电池效应系数也增大,这时宏电池中阳极金属的腐蚀显著加速

实验采用WCT-2型微机差热天平,用来研究了保护渣的化学组成和冷却速率对其结晶温度的影响.结果表明:(1)在实验条件下,碱度升高,保护渣的结晶温度先升高后降低;(2)F-含量增加,保护渣的结晶温度提高;(3)随着Na2O,Al2O3,MgO含量的增加,保护渣的结晶温度下降;(4)保护渣的结晶温度随冷却速率的增加略有下降

根据炉渣结构的共存理论与CaO-Al2O3-SiO2熔渣在不同温度和成分下实测表面张力值,制定了本渣系表面张力与熔渣各结构单元作用浓度及温度间关系的计算模型.计算结果符合实际,证明该模型可以反映本渣系表面张力随熔渣作用浓度和温度而变化的规律

教学内容 一、文件类 二、 Javal/O结构 三、标准流、文件流、过滤器流、字符流的使用 四、对象序列化

以O为 当t=0时 A原点旋转矢 量A的端点 O 在X轴上的 投影点的运 x=cosφ 动为简谐运动

After comparing the sensitizing effect of various mixed surfactants on the chromophoric reaction of gallium （Ⅱ） with orthochlorophenylf luorone, it has been found that the mixed micelle of cetyltrimethylammonium bromide and Tween-80 is most suitable. In the presence of this mixed micelle, not only both the sensitivity and stability improve markedly, but also a wider pH range is tolerable for the colour-development. From the study on the optimum conditions for the formation of the coloured coordination compoundin the system of 《Ga （Ⅱ）——o-Chlorophenyl fluorone-catyltrimethylammo-nium bromide——Tween-80》 and its main characters, a spectrophotometricmethod, by which sensitivity and reproducibility are higher than those of ternary systems of gallium（Ⅱ） has been developed. When it is combined with the dual-wavelength method, the molar absorptivity can be improved to 2.33×105 l·mol-1·cm-1,which is higher than that of most of other systems ever sh

How fast can we sort? All the sorting algorithms we have seen so far are comparison sorts: only use comparisons to determine the relative order of elements E. g, insertion sort, merge sort, quicksort heapsort The best worst-case running time that weve seen for comparison sorting is O(nIgn) Is o(nlgn) the best we can do?

概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)