3.1 轨道角动量 3.2 氢原子的量子力学处理 3.3 电子自旋与自旋轨道耦合 3.4 微观粒子的不可分辨性 泡利不相容原理 3.5 各种原子核外电子的排布 3.6 X射线 3.7激光简介

§8.1 电子能谱基本原理 §8.2 紫外光电子能谱（UPS） §8.3 X射线光电子能谱(XPS) §8.4 俄歇电子能谱 §8.5 电子能谱仪简介 §8.6 应用举例

采用循环伏安法首次研究了LiF-NaF-K2TiF6-KBF4熔盐体系中钛离子和硼离子在铂、钼电极上电化学还原及电合成硼化钛的阴极过程机理。对恒电位电解的沉积物进行了X射线衍射分析。结果表明,当体系中硼钛摩尔比B/Ti大于2时,钛与硼可在同一电位下实现电解共沉积并反应生成硼化钛

利用正交实验设计方法,进行了利用冶炼渣回收铁及生产微晶玻璃建材制品的实验室研究.探讨了不同原料配比时渣铁分离的效果.通过光学显微镜、X射线衍射分析、物理化学性能测试等手段确定了微晶玻璃试样的物相组成及性能特征.提出了可供工业实验的原料配比及工艺制度

采用微波等离子体化学气相沉积法,N2/CH4作反应气体,在Si(100)基体上沉积β-C3N4化合物.使用X射线光电子能谱(XPS)研究了基体温度对碳氮薄膜的成分和结构的影响,结果表明:随着温度的提高,N/C原子比迅速提高,α-和β-C3N4在薄膜中的比例随之提高,超过一定的温度后,N/C原子比将会降低.傅立叶变换红外光谱(FT-IR)和喇曼(Raman)谱结果支持C-N键的存在

利用X射线技术检测了普通工艺和改进工艺制备的内联导电铝膜的织构.分析表明,高体积量且锋锐的{111}面织构可以大幅度降低大规模集成电路芯片的失效率.讨论了失效的原因及{111}织构的有利作用.指出了新一代内联导电铜膜相应织构问题的重要性

本学期实验题目 绪论 实验数据的处理 液氮比汽化热的测量 碰撞打靶 用扭摆法测定物体转动惯量 LCR串联谐振电路 直流电桥 圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场 数字示波器的使用 锑化铟磁阻传感器的特性测量 二极管的伏安特性测量及应用 量子论实验—原子能量量子化的观察与测量 X射线透视与 NaCl晶体结构分析 透镜焦距的测量 牛顿环 光的衍射 计算机实测物理实验 用计算机实测技术研究冷却规律 用计算机实测技术研究声波和拍

用湿化学法合成钥镁酸铅陶瓷.用X射线(XRD)、扫描电镜(SEW)和透射电镜(TEM)技术,研究陶瓷的微观结构.结果表明:湿化学法可合成纯钙钛矿相的钥镁酸铅陶瓷;陶瓷在850~920 ℃烧结,晶粒大小为150~200nm,细小焦绿石相出现并分布在晶界上;过量PbO相的形成有利于陶瓷的烧结

提出以溶胶凝胶法制备含银Na2O-B2O3-SiO2玻璃的工艺及制备过程,用X射线衍射及红外吸收光谱分析制备过程中结构变化,用光学吸收谱、透射电镜及能谱分析确定银胶体粒子的存在及其分布.结果表明,溶胶凝胶法制备与传统熔融法制备的玻璃有相同的结构,且通过适当的热处理工艺可以获得尺寸有一定分布的银粒子.该方法既可以用于颜色玻璃的制备,其产品也可作为制备其他材料的原料

采用磁控溅射方法,分别在纯Fe以及低硅钢基片上沉积富Si膜,并对其进行真空扩散热处理.通过能谱分析及X射线衍射研究了Si在纯Fe与低硅钢基体中的扩散特征,运用DICTRA软件建立了扩散模型.研究发现Si在纯Fe基体中扩散时发生γ-Fe(Si)→α-Fe(Si)相转变,扩散速率受控于相界面的迁移.当沿截面Si含量梯度不足以驱动相界面正向迁移时,延长扩散时间会发生相界面回迁现象,最终趋于单一相内均匀化扩散过程.Si在低硅钢基体中的扩散符合Fick扩散第二定律