第十章非线性电路 主要内容: 1、非线性电路概念与非线性元件; 2、直流非线性电阻电路; 3、非线性正弦电路与非线性电感器件; 4、小信号分析; 5、分段线性化模型; 6、非线性电路动态方程及数值解

一、元器件、设备 直流稳压电源(0~30V)1个插件板2块 导线18条(长14)连接片10个 数字万用表DM-441B1台 一号千电池2个电阻100、200Ω、 150Ω、300Ω、390Ω、510Ω各1个 电流源模块1个电阻箱1个(ZX36型)

数字集成电路的设计形式 全定制设计(ASIC或基于标准单元的设计(CBIC) 半定制设计或基于门阵列的设计(GA) 基于可编程器件(PLD)的设计;

实验五AD采样电路设计 一、实验目的:通过本次实验掌握用VHDL语言设计程序能够通过时序对ADC0809器件进行控制并进行采集、输出。 二、实验要求: 1、了解并掌握ADC0809的工作原理。 2、编写相应的程序实现对ADC0809的控制

半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍

1.4 .1 BJT的工作原理 1. 4 . 2 BJT的静态特性曲线 1. 4. 3 BJT的主要参数 1. 4. 3 BJT的小信号模型

§1.1 半导体材料及导电特性 §1.2 PN结原理 §1.3 晶体二极管及应用

集成电路按其制造材料分为两大类: 类是Si(硅),另一类是GaAs(砷化 镓)。目前用于ASIC设计的主体是硅材 料。但是,在一些高速和超高速ASIC设 计中采用了GaAs材料。用GaAs材料制成 的集成电路,可以大大提高电路速度,但 是由于目前GaAs工艺成品率较低等原因, 所以未能大量采用

1.半导体物理基础。包括半导体的特性、能 带理论、载流子及运动、载流子对光的吸收、半 导体的PN结及与金属的接触。 2.光电效应。光电器件依据的物理基础主要 是固体的光电效应,就是固体中决定其电学性质 的电子系统直接吸收入射光能,使固体的电学性 质发生改变的现象。例如:光电子发射效应、光 电导效应、光生伏特效应等