§8.1 输运现象的经验规律 §8.2 基本假设 §8.3 熵产生率dtd Si和翁萨格关系 §8.4 电动效应 §8.5 热电效应 §8.6 非平衡态相变

第一节 税收的经济效应作用机制 第二节 税收的经济影响 第三节 税收与经济发展

8.2.1 光电效应及其解释 8.2.2 康普顿效应 8.2.3 光的波粒二象性 8.2.4 光电效应的应用

4.4.1 FET的直流偏置及静态分析 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法

第一节 效用论概述 第二节 无差异曲线 第三节 预算线 第四节 消费者均衡 第五节 替代效应和收入效应

一、结构 二、工作原理 三、 输出特性 四、转移特性

4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理

华中科技大学：《模拟电子技术》教学资源（一）4.2 场效应管放大电路——砷化镓金属-半导体场效应管

一、MOS场效应管的特点 二、场效应管的等效电路（模型） 三、MOS管三种基本放大电路 四、MOS恒流源负载 五、MOS管电流源 六、MOS管单级放大器 七、MOS管差分放大电路 八、CMOS管功率放大电路 九、MOS模拟开关

三个方面内容： 1. 单体活性与自由基活性的实验比较方法； 2. 结构因素（取代基的电子效应及空间效应）对单体及自由基活性的影响； 3. 将单体和自由基的活性与结构因素关联（Q－e 概念），并用以估算单体对的竞聚率值