Unit Seven Text A I. Pre-reading Task II. Related Information Ill. Detailed Study I V. Outline& Summary V. Home Assignment

在不同Na2SiO3含量的电解液体系下对Ti6Al4V合金进行微弧氧化.采用SEM和AFM分析氧化膜表面形貌及粗糙度,研究电解液中Na2SiO3含量对氧化膜厚度及表面形貌的影响.结果表明:随着电解液中Na2SiO3质量浓度从12 g·L-1增加到28 g·L-1,临界正向起弧电压逐渐降低,微弧氧化膜的厚度由31μm增加至88μm;氧化膜表面均匀分布着尺寸不等的微孔,并且随着Na2SiO3质量浓度的增加,微孔的数目增多,粗糙度增加.XRD分析显示氧化膜的相组成为锐钛矿以及金红石

21.1简单变量、数组、指针 21.2小王成绩管理系统V2.0的问题 21.2.1软件升级历史 21.3指针的最常用用法 21.3.1分配内存 21.3.2访问指针指向的内存 21.4小王成绩管理系统V3.0

2.7 Some Important Crystallographic Formulas 1. Zone and zone equation All Planes parellel to common axis [uvw] constitute a (crystal) zone, the [u v w] zone. If (h k l) belongs to zone [u v w], then hukv+=0 2.ifhuk+hw=0,then[uvw] lies in(hk) 3. For cubic crystals, [h (h k)

第一节电磁波的基本知识 1、参数 周期T、频率f、速度v、波长入、相位φ及其相互关系:T=1/f, =T.v, 9=27 ft. 2、电磁波普 （1)全普与窗口 （2)卫星大地测量常用普

采用Gleeble-1500热模拟试验机,研究了某油井管生产工艺中张力减径过程变形量以及C和N含量对中碳V-Ti-N微合金非调质钢室温组织的影响.结果表明:HCLN钢在800℃变形量为20%、40%和60%时,对应的室温组织中铁素体的体积分数依次为17.2%、19.7%和29.9%.N质量分数为2.3×10-4时,800℃变形60%后控冷钢中铁素体的体积分数为含低N(1.1×10-4)钢的1.7倍左右,使含C 0.34%的钢中铁素体含量接近于含C 0.26%的钢,并使铁素体平均晶粒尺寸降低到3μm左右.变形量和钢中N含量二者增大均有利于增加钢中铁素体的数量,且二者综合运用的效果更有效.通过分析可知,800℃变形量的增大,可以提高未再结晶奥氏体晶粒内的缺陷密度,有利于过冷奥氏体连续冷却转变时为晶内铁素体形核提供更多的形核位置.N含量的增大,能够促进第二相析出物的析出,诱导晶内铁素体的析出,提高铁素体含量,并细化其晶粒尺寸

针对水平Ⅴ型锥面砧拔长矩形截面坯料建立了力学模型,并进行了定性物理模拟实验与生产性实验.研究结果表明,水平V型锥面砧不仅可以实现变形均匀的无横向拉应力锻造,而且提高了轴类锻件的横向力学性能,实现了大型轴类锻件的等向锻造,同部位力学性能值的横纵向之比均约等于1.00

当碳间隙式地溶解在y-Fe中,形成奥氏体时,可将 奥氏体的晶体结构看成为由fcc点阵、八面体间隙点阵交叉 配合组成,在fcc晶体结构中Fe原子数4个、八面体间隙位 置4个,当碳全部填满八面体间隙位置,C原子数4个,合 金成分为FeC(a=c=1),若碳原子含量低,没有全部占 据满八面体间隙,则认为合金为FeC+FeV混合而成,此外 V代表空位,这种混合造成C与V在亚点阵中的无序

设A是n维酉空间V内的线性变换,如果V内的线性变换A满足a,BV,有 (Aa, B)=(a, B) 则称A是A的共轭变换.A为A的共轭变换当且仅当它们在标准正交基下的矩阵互为共轭 转置. 共轭变换的五条性质:

以GaN和(Ga1-xInx)P半导体的金属有机物气相外延生长(MOVPE)为例分析了V族气源物质NH3和PH3热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影响.根据外延生长过程中NH3和PH3实际分解状况,建立了气源物质不同分解状态下的热力学模型,进而应用Thermo-calc软件计算出与之对应的成分空间.计算结果与实验数据的对比表明:GaN和(Ga1-xInx)P半导体的MOVPE过程的热力学分析必须根据V族气源物质NH3和PH3的实际热分解状况,进行完全平衡或限定平衡条件下的计算和预测,完全的热力学平衡分析仅适用于特定的温度区段或经特殊气源预处理的工艺过程