4.5.1集成运放基本使用知识 一、集成电路器件命名及主要性能指标 1.国标GB-3430-82对集成电路的规定

第2、3章小结 一、两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管BJT)两种载流子导电 单极型半导体三极管(场效应管FET)多数载流子导电

目录 第1章绪论 第2章逻辑代数基础 第3章逻辑门电路 第4章集成触发器 演示文 第5章脉冲信号的产生与整形 第6章组合逻辑电路 第7章时序逻辑电路 第8章数模与模数转换器 第9章半导体存储器 第10章可编程逻辑器件

在第一章里,我们初步认识了与、或、非三种基本逻辑运算和与非、或非、异或等常 用逻辑运算,在那里,这些运算关系都是用逻辑符号来表示的。而在工程中每一个逻辑符 号都对应着一种电路,并通过集成工艺作成一种集成器件,称为集成逻辑门电路,逻辑符 号仅是这些集成逻辑门电路的“黑匣子\。本章将逐步揭开这些“黑匣子”的奥秘,介绍集 成逻辑门电路的两种主要类型TL和MO门电路的工作原理、逻辑功能及外部特性,同 时对内部结构也作一简要介绍

第十章非线性电路 主要内容: 1、非线性电路概念与非线性元件; 2、直流非线性电阻电路; 3、非线性正弦电路与非线性电感器件; 4、小信号分析; 5、分段线性化模型; 6、非线性电路动态方程及数值解

一、元器件、设备 直流稳压电源(0~30V)1个插件板2块 导线18条(长14)连接片10个 数字万用表DM-441B1台 一号千电池2个电阻100、200Ω、 150Ω、300Ω、390Ω、510Ω各1个 电流源模块1个电阻箱1个(ZX36型)

时序电路的结构与特 内部含有存储器件(触发器、锁存器); 信号变化受时钟控制; 通常采用状态变化进行描述; 采用进程进行设计;

实验四只读存储器设计 一、实验目的:用嵌入式阵列(EAB)单元设计一个8×8的只读存储器(ROM),用来实现两个四位二进制数的相乘功能。 二、实验要求: 1、调用参数化的LPM ROM器件,设置参数使其成为8×8的只读存储器。 2、利用文本编辑器或者仿真器的初始化选项编辑ROM的内部配置文件,使ROM能完成两个四位二进制数的相成功能

半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(sie) 化合物半导体(GaAs InSb) ·本征半导体:不含任何杂质的纯净半导体, 其纯度在999%(8~10个9)。 ·掺杂半导体:半导体材料对杂质的敏感性非常 强,例如在Si中掺入千万分之一的磷(P)或者 硼(B),就会使电阻率降低20万倍

高水平的工艺良品率是生产性能可靠的芯 片并获得收益的关键所在。本章将简单介绍影 响良品率的主要工艺及材料要素,并对良品率 测量点做出阐述。 维持及提高良品率对半导体工业至关重要 ,因为半导体制造工艺的复杂性,以及生产一 个完整封装器件所需要经历的庞大工艺制程, 是导致这种对良品率超乎寻常关注的基本原因 。这两方面的原因使得通常只有20%至80%的芯 片能够完成生产线全过程,成为成品出货