应用X射线衍射,选区电子衍射和同步X射线衍射等方法,对锂离子电池正极材料Li[Ni1/3Li1/9Mn5/9]O2的结构和充放电行为进行了研究.结果表明Li[Ni1/3Li1/9Mn5/9]O2可标定为单相α-NaFeO2,并具有$\\sqrt 3 $ahex.×$\\sqrt 3 $ahex.×$\\sqrt 3 $chex.超结构特征.电池充电时,伴随锂离子的脱出,相邻氧原子层间的静电斥力逐渐增大,当电压为3.8V时应力达到最大.接近4.6V时,晶胞常数c急剧下降,绝大多数Li+从材料的锂层拔出,Ni2+发生氧化.4.6~4.8V之间c增大,a变化很小,说明过渡金属层中的Li+拔出,而过渡金属离子的氧化状态未改变

针对永磁同步电机系统解耦性能,提出一种逆控制的新型控制策略,应用逆系统方法对永磁同步电机进行解耦控制研究.通过对永磁同步电机的数学模型可逆性分析,将永磁同步电机系统解耦成二阶线性转速与一阶线性定子电流两个低阶的线性子系统.仿真结果表明,控制方案具有优良的动态和静态性能,且对负载变化具有较强鲁棒性

了解单片机测控系统中接口元件的作用； 了解D/A转换器与80C51的连接方法，能读懂教材中的控制实例； 掌握A/D转换器与80C51的连接方法，能编写与教材同等难度的应用程序； 了解直流电机控制芯片TA7257P的应用； 理解步进电机的工作原理、励磁方式，能用其实现简单控制； 7.1 数/模转换接口 7.2 模/数转换接口 7.3 电动机控制

18-1分布参数电路 18-2均匀传输线及其方程 18-3均匀传输线方程的正弦稳态解 18-4均匀传输线的原参数和副参数 18-5终端接特性阻抗的传输线 18-6终端接任意阻抗的传输线 18-7无损耗传输线 18-8无损耗方程的通解 18-9无损耗线的波过程

5.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3结型场效应管(JFET) 5.4砷化镓金属-半导体场效应管 5.5各种放大器件电路性能比较

用研制的Mg2SiO4(s)+MgO(s)硅传感器,对高碳冶金熔液中的硅进行了测量,发现辅助电极的物相结构和熔体中的氧含量对测量结果有明显的影响.首先提出了辅助电极型传感器的物理模型,导出了辅助电极的局域平衡氧势与熔体氧势和硅传感器测量结果的关系式,给出了覆盖常数和结构常数的物理意义.用实验数据拟合得到了该传感器的结构常数为6.66;用该模型对小于1的不同覆盖常数的硅传感器测得同一熔体的氧势进行了校正,得到了一致的局域平衡氧势值,证明了模型与实际吻合得相当好

2. 含有双电源的射极偏置电路 （2）直接耦合

一、判断下列说法是否正确,用“√”或“×”表示判断结果。 (1)运算电路中一般均引入负反馈。() (2)在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。() (3)凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关 系。()

首届中国大学生电脑节随着2000 年3 月13 日在广州花园酒店召 开的新闻发布会拉开了序幕，这次活动是以“走进网络时代，体验网 络生存”为主题，以展示、推广和普及最新电脑及网络知识，引导中 国大学生更好地投身中国信息产业为目的的活动，是由国家教育部高 教司、人民日报社新闻信息中心、有关省市教委共同举办的，活动历 时两个月，跨越广州、上海、南京、武汉、成都、西安、沈阳、北京 八大城市，覆盖北京大学、清华大学等四十五所重点大学及其周边院 校，参与的大学生将达五十万人

1、放大电路的频率响应 2、高频等效模型 3、多级放大电路的频响 4、集成运放的频率补偿