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华中科技大学电信系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(PPT电子教案)二极管及其基本电路 3.2 PN结的形成及特性
文档格式:PPT 文档大小:747.5KB 文档页数:13
3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 3.2.1 载流子的漂移与扩散
清华大学电子工程系:《模拟电子技术基础》课程教学资源(教案讲义)CAD上机安排
文档格式:DOC 文档大小:30KB 文档页数:1
一、教材 《模拟电路的计算机分析与设计-PSpice 程序应用》 二、上机学时及要求 1. 每人上机 4 次,每次 4 学时。其中,前 2 次安排教师辅导,后 2 次自己上机练习
广州铁路职业技术学院:《模拟电子技术》第八章逻辑门电路习题
文档格式:DOC 文档大小:3.27MB 文档页数:4
1、电路如题图8-1(a)所示,其输入电压uI1和uI2的波形如图(b)所示,二极管导通电压UD=0.7V试画出输出电压uO的波形,并标出幅值
清华大学:《模拟电子技术基础》课程教学资源(第三版,习题)第四章 集成运算放大电路自测题(童诗白、华成英)
文档格式:DOC 文档大小:44KB 文档页数:3
一、(1)C (2)B (3)C (4)A (5)A 二、(1)× (2)√ (3)√ (4)√ (5)×
华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(PPT课件)第三章 半导体三极管及放大电路基础(3.1)半导体三极管(BJT)
文档格式:PPS 文档大小:538.5KB 文档页数:20
3.1.1BJT的结构简介 3.1.2BJT的电流分配与放大原理 3.1.3BJT的特性曲线 3.1.4BJT的主要参数
华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(一)4.3 场效应管放大电路——金属-氧化物-半导体场效应管
文档格式:PPT 文档大小:848KB 文档页数:13
4.3.1 N沟道增强型MOSFET(EMOS) 4.3.3 各种FET的特性及使用注意事项 4.3.2 N沟道耗尽型MOSFET(DMOS) • 特性曲线及参数 • 结构 • 工作原理
华中科技大学:《模拟电子技术》教学资源(一)4.1 场效应管放大电路——结型场效应管
文档格式:PPT 文档大小:294.5KB 文档页数:9
• 结构 • 工作原理 • 输出特性 • 转移特性 • 主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数
西安电子科技大学出版社:高等学校电子信息类系列教材《模拟电子技术基础》教学资源(PPT课件)第9章 功率电路及系统
文档格式:PPT 文档大小:2.08MB 文档页数:110
9—1 功率放大器 9—2 整流器和直流稳压电源 9—3 功率器件 9—4 高精度基准电压源
《模拟电子技术》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四章 MOS模拟集成电路基础 4.1 场效应晶体管 4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 4.1.2 JFET伏安特性曲线 4.1.3 绝缘栅场效应管
文档格式:PPT 文档大小:724.5KB 文档页数:15
4.1.1 JFET的结构及基本工作原理 4.1.2 JFET伏安特性曲线 4.1.3 绝缘栅场效应管
清华大学:《电工与电子技术概论 Electrical and Electronics Engineering》课程教学资源(PPT课件)第二章 电路的分析方法
文档格式:PPT 文档大小:982KB 文档页数:62
§2.1 基本分析方法 2.1.1 支路电流法 2.1.2 结点电位法 §2.2 基本定理 2.2.1 迭加定理 2.2.2 等效电源定理 (一)戴维南(戴维宁)定理 (二)诺顿定理*(自学)
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