一.反应类型 化学反应可以同时向正、反两方向进行,根据正、反方向进行程度的不同,可分为 两类: 单向反应:逆向反应程度如此之小,可忽略。 如:H2+1/2O2→H2O 对峙反应:正、逆向反应程度相当

本文根据文献热力学数据,导出了反应;[Mg]%F0+[O]%=MgO(s)的标准自由能变化ΔG°=-505009+145.03T,J.mol-1(1780 ≤ T ≤ 2000°k)进而用热力学分析了GH36合金在含MgO或MgF2渣系中电渣重熔合金中Si、Mn等成分对产生或保持合金中含有 ≥ 0.0020Wt%Mg的不可能性,提出了含Mg的GH36A合金电渣重熔时自耗电极中含有少量Al的必要性。研究了原始Al含量([Al]0)、原始Mg含量([Mg]0)以及熔渣成分对锭中Mg含量[Mg]的影响。当渣池温度为1690±10℃,0.32 ≤ [Al]0 ≤ 0.62Wt%,0.0035 ≤ [Mg]0 ≤ 0.0140Wt%,熔渣成分为0.10 ≤ NMgO ≤ 0.30,0.05 ≤ NAl2O3 ≤ 0.21,NCaO ≤ 0.15范围,建立了GH36A合金电渣重熔控制[Mg]的关系式。研究发现,含有适量的Mg、Al的GH36A合金可大幅度地提高合金在650℃,372.65×106Pa的缺口、光滑持久寿命,消除合金缺口敏感性

第一周作业参考答案 3.11011.011(B)=27.375(D)=33.3(O)=1B.6(H) 4.240.75(D)=110000.11(B)=360.6(O)=0.C(H) 5 E3(H)=11100011() E3(H)为原码时,x=-110011(B)=-99(D) E3(H)为反码时,[]原=10011100(B)(x=-11100=-28(D) E3(H)为补码时,[]原=10011101(B),(x=-11101=-29(D) E3(H)为无符号数时,X=E3(H)=227(D) 因为E3(H)的高4位E(H)=14(D)超出了0~9的范围,所以E3(H)不可能为压缩BCD码

利用Al-N-O选择性吸收层之间产生的干涉效应,改善吸收表面的光学性能(吸收率α和发射率ε).通过工艺实验确定了2种不同金属填充因子的双吸收层结构.与多层渐变吸收表面相比双吸收层结构吸收表面具有膜系结构简单、高温下性能稳定、发射率较低等优点.吸收表面的吸收率α为0.93~0.95,发射率ε(353K)为0.04~0.06

Must choose routes for various origin destination pairs(O/D pairs) or for various sessions - Datagram routing: route chosen on packet by packet basis Using datagram routing is an easy way to split paths Virtual circuit routing: route chosen a session by session basis Static routing: route chosen in a prearranged way based on O/D pairs Eytan Modiano

第六章设备管理 6.1概述 6.2I/O软件的组成 6.3I/O硬件特点 6.4有关技术 6.5设备处理 6.6典型外部设备

本文提出了一种新的分类算法,该算法特别适用于分类元素关键字值重复性较高的元素集。新算法采用了我们称之为单指针队列移动的思想,通过扫描全部元素一遍或二遍便将其分类完。当对关键字值仅有M种的共N个元素分类时,新算法的排序效率,即总的比较次数为O（N LOG2M）,元素总移动次数为O（MN）,所需附加空间为M个指针单元和M个存关键字值单元。在极端情况下,即M与N相等时,以上时空效率的形式不改变。约定:若元素a和b具有相同的关键字值,则称元素a和b是同类元素。反之,亦然

2010年济宁市中考语文试卷(高中阶段学校招生考试语文试题)_济宁市二O一O年高中阶段学校招生考试

用声发射(AE)技术研究了铁基合金上几种常见氧化层在恒温氧化和随后冷却过程中发生的开裂及剥落行为。获得了AE累积计数及温度对时间的变化曲线。通过显微镜、扫描电镜的观察和X射线射衍物相分析,确定了实验合金表面氧化层的主要物相。结果表明:除了加Si合金的氧化层在恒温氧化过程已开裂外,其余合金的氧化层均在冷却时开裂并剥落。Fe25Cr-10Al合金上α-Al2O3层的开裂及剥落最为剧烈。Fe-25Cr-7.5Nb合金的Cr2O3层AE总计数远远高于Fe-25Cr合金。而Fe-25Cr-4Ti和Fe-25Cr-9Mn的情况与Fe-25Cr大体相同

绪论 一、单片机的概念 全称为“单片微型计算机”,简称为“单片机”、“单 片微机”或“微控制器”。 在一块半导体芯片上集成有CPU、ROM、RAM、 I/O接口、定时器/计数器、中断系统等功能部件,构成了完整的数字电子计算机。 片内甚至还集成有HSI/O、A/D、电压比较器等功 能部件