性质:类似于开链的碳氢化合物。 结构:成环。 分类 1.按碳原子数分: 2.按碳环数目分:

研究了微观偏析的理论模型对碳钢连铸过程中内裂纹的敏感性.模型中考虑了铁素体(δ)凝固向奥氏体(γ)凝固的转化过程,以及MnS的析出.主要讨论了钢中C,Mn,S,P对凝固过程中晶间偏析、零强度温度(ZST)、零塑性温度(ZDT)的影响

采用Thermo-Calc热力学软件,对转K2弹簧钢在400~1600℃存在的平衡析出相及Nb、V在奥氏体相中的固溶规律进行了计算,探讨了各合金元素含量对析出相析出规律的影响,并利用碳萃取复型与透射电镜(TEM)分析了Nb含量对析出相的影响.结果表明:转K2弹簧钢中平衡析出相主要为MX、M7C3、M3C2和AlN;Nb能显著提高MX相的稳定性.TEM分析表明,析出相尺寸变化范围为几纳米到100纳米以上,形态多呈近似球形或圆片状;随Nb含量增加,从低温铁素体中析出的细小颗粒所占比例显著增大,未溶解碳氮化物比例也有所增大,总体而言析出相平均颗粒尺寸得到细化;大颗粒析出相为富Nb的碳化物,而小颗粒为富V的碳化物,这与热力学计算结果相一致

纳米给人的新希望 拥有一台只有手掌大小的超级电脑或许仍是个遥不可及的梦想,不过来自美国及荷 兰的最新研究结果,使人们朝这个目标迈出了重要的一步。 当你我可能还为着广告中那即薄又轻的笔记型电脑钦羡不己的时候,科学家早已把 目光放在纳米尺度的电子元件上。虽然早在1974年, aviram和 Ratner便提出了分子级 电子元件( molecular electronic device)的概念,直到最近几年,科学家才知道如何以碳纳 米管( carbon nanotube)、纳米线( nanowire)或有机分子建构导线、开关等单一电子元 件 而根据在几周前的 Science的一篇文章,荷兰 Delft University of Technology的ces Dekker所带领的研究小组已成功地利用碳纳米管制作了好几种数位逻辑运算电路

常见有大豆、蚕豆、豌豆、赤小豆 、绿豆、云豆、豇豆等. 大豆含有较高蛋白质和脂肪,而碳 水化合物则相对较少. 蚕豆、豌豆等,含有较多碳水化合 物,中等量蛋白质及少量脂肪

分析了高碳硬线钢82B在冶炼过程中复合夹杂物-钢液-渣及耐火材料局部动态平衡反应过程及Mn、Si和Al脱氧条件下夹杂物成分变化规律.利用热力学计算软件FactSage进一步计算分析了硬线钢获得良好变形能力的Al2O3-SiO2-MgO-CaO-MnO五元系夹杂物所需要的条件:钢液中[Al]的质量分数控制在(25～100)×10-6时,相应地钢液中溶解[O]的质量分数可以控制在(5～20)×10-6.在低熔点区域内,[Si]的质量分数可以控制在0.1%～1.5%;[Mn]的质量分数控制在0.2%～1%

基于国内转底炉直接还原炼铁在起步阶段亟待解决的热工系统问题，分别以系统分析、热模拟实验和数值模拟为手段，对转底炉分段热工参数进行了研究.建立了转底炉冶金模型和热模型（涉及变量83个、参数20个），模拟计算结果表明，每生产1t金属化球团，需铁精粉1213kg，消耗煤粉283kg、煤气615kg.基于转底炉分区域系统分析，分别进行了预热段、加热段、还原段条件下的热模拟实验研究，确定出不同工况下（nC：nO=0.8~1.2）含碳球团于各段的实时还原进度，并依据含碳球团自还原吸热与热工参数的匹配，确定出各段燃料供应参数.使用Fluent模拟软件对分段热工参数进行了验证，结果表明分段热工参数设计合理，能有效实现转底炉的分段职能，为转底炉的优化设计提供了基础

根据300t钢包RH真空处理超低碳铝镇静钢的实验数据,建立了RH处理过程钢中总氧含量的预测模型,得到了钢中氧含量的预测公式.模型综合考虑了处理时间、真空室吹氩流量、钢水环流量、浸渍管直径和钢包渣中(FeO+MnO)含量等因素对总氧含量的影响,并对改进RH处理工艺进行了讨论.模型分析表明,促进夹杂物上浮的手段有增大吹氩流量、增加浸渍管直径,但都有一个合适的范围

通过对超低碳IF钢冷轧薄钢板拉伸过程中不同变形程度的测试与扫描电镜的观察,研究了其表面形貌及组织的变化规律.探讨了超低碳钢韧性断裂中内部孔洞形成机理,并指出超低碳钢中的微孔洞不是主要由夹杂物或第二相粒子产生,而是因为位错的滑移、集聚,在原有损伤处形成

本文研究了三种碳-锰、碳-锰-铌钢控制轧制中铁素体晶粒细化的规律。大量试验证明,热轧后钢中铁体晶素粒尺寸(dF)主要受形变量(ε)、形变温度(TD)、原始奥氏体晶粒尺寸(dA)及冷却速度、钢中成分的影响。在单道次轧制中这三种钢的铁素体晶粒尺寸与各参数的综合定量关系皆可用下式表达:${{\\rm{d}}_{\\rm{F}}}=\\frac{{55{\\rm{th}}\\frac{{{{\\rm{d}}_{\\rm{A}}}-90}}{{25}} + {\\rm{a}}}}{{\\rm{\\varepsilon }}} + {\\rm{b}}{T_{\\rm{D}}}-750{^{\\frac{1}{2}}} + {\\rm{c}}{{\\rm{d}}_{\\rm{A}}}$将式中的dA改为\等效奥氏体晶粒尺寸\,此式就可应用于多道次轧制,予测多道次轧制后的铁素体晶粒尺寸