数控加工工艺内容的选择 数控加工工艺性分析 数控加工工艺路线的设计

6.1 生产工艺综述 6.1.1 生产工艺技术的发展 6.1.2 我国聚丙烯工艺技术的发展 6.2 浆液法聚合工艺 6.2.1 工艺概述 6.2.2 Montedison 公司浆液法工艺 6.2.3 Hercules 浆液法工艺 6.2.4 Amoco 化学公司浆液法工艺 6.2.5 三井油化公司浆液法工艺 6.2.6 现代浆液法工艺 6.3 溶液法聚合工艺 6.4 本体法聚合工艺 6.4.1 工艺概述 6.4.2 间歇法聚合工艺 6.4.3 连续式聚合工艺 6.5 本体法-气相法组合聚合工艺 6.5.1 Spheripol 工艺 6.5.2 Hypol 工艺 6.5.3 Borstar 工艺 6.6 气相聚合工艺 6.6.1 气相法工艺概况 6.6.2 Novolen 工艺 6.6.3 Unipol 工艺 6.6.4 Innovene 气相法工艺 6.6.5 Chisso 气相法工艺 6.6.6 住友（Sumitomo）气相法工艺 6.6.7 反应器颗粒技术及 Catalloy 工艺 6.7 工艺技术比较 6.7.1 技术性比较 6.7.2 经济性比较 6.8 原料及公用工程供应和消耗 6.8.1 丙烯的制造 6.8.2 丙烯等主要原料的规格和供应 6.8.3 公用工程的主要规格 6.8.4 原料及公用工程的典型消耗 6.9 聚合物的后处理 6.9.1 挤压造粒 6.9.2 产品均化及包装储存 6.10 工艺控制及先进控制 6.10.1 聚丙烯装置工艺控制 6.10.2 聚丙烯装置的先进过程控制 6.10.2.1 概述 6.10.2.2 APC 系统构成 6.11 安全、卫生及环境保护 6.11.1 安全 6.11.2 三废及环保 6.12 生产工艺发展趋势 6.12.1 催化剂仍是工艺技术发展的推动力 6.12.2 改进现有技术或开发新工艺技术使产品进一步的多样化和高性能化

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

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