概述本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

6.1 生产工艺综述 6.1.1 生产工艺技术的发展 6.1.2 我国聚丙烯工艺技术的发展 6.2 浆液法聚合工艺 6.2.1 工艺概述 6.2.2 Montedison 公司浆液法工艺 6.2.3 Hercules 浆液法工艺 6.2.4 Amoco 化学公司浆液法工艺 6.2.5 三井油化公司浆液法工艺 6.2.6 现代浆液法工艺 6.3 溶液法聚合工艺 6.4 本体法聚合工艺 6.4.1 工艺概述 6.4.2 间歇法聚合工艺 6.4.3 连续式聚合工艺 6.5 本体法-气相法组合聚合工艺 6.5.1 Spheripol 工艺 6.5.2 Hypol 工艺 6.5.3 Borstar 工艺 6.6 气相聚合工艺 6.6.1 气相法工艺概况 6.6.2 Novolen 工艺 6.6.3 Unipol 工艺 6.6.4 Innovene 气相法工艺 6.6.5 Chisso 气相法工艺 6.6.6 住友（Sumitomo）气相法工艺 6.6.7 反应器颗粒技术及 Catalloy 工艺 6.7 工艺技术比较 6.7.1 技术性比较 6.7.2 经济性比较 6.8 原料及公用工程供应和消耗 6.8.1 丙烯的制造 6.8.2 丙烯等主要原料的规格和供应 6.8.3 公用工程的主要规格 6.8.4 原料及公用工程的典型消耗 6.9 聚合物的后处理 6.9.1 挤压造粒 6.9.2 产品均化及包装储存 6.10 工艺控制及先进控制 6.10.1 聚丙烯装置工艺控制 6.10.2 聚丙烯装置的先进过程控制 6.10.2.1 概述 6.10.2.2 APC 系统构成 6.11 安全、卫生及环境保护 6.11.1 安全 6.11.2 三废及环保 6.12 生产工艺发展趋势 6.12.1 催化剂仍是工艺技术发展的推动力 6.12.2 改进现有技术或开发新工艺技术使产品进一步的多样化和高性能化

第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展

一、机械加工工艺规程设计的内容及步骤 二、工艺路线的拟订 三、加工余量 四、工序尺寸及其公差的确定 五、工艺过程的生产率 六、工艺方案的经济分析 七、编制工艺规程文件

一、概述 本章将介绍基本芯片生产工艺的概况, 主要阐述4中最基本的平面制造工艺,分别是: 薄膜制备工艺掺杂工艺光刻工艺热处理工艺 薄膜制备是在晶体表面形成薄膜的加工工艺。 图4.4是MOS晶体管的剖面图,可以看出上面有 钝化层(Si3N4、Al2O3)、金属膜(AI)、氧化层(SiO2) 制备这些薄膜的材料有:半导体材料(Si、 GaAs等),金属材料(Au、A等),无机绝缘 材料(SiO2、Si3N4、Al2O3等),半绝缘材料 (多晶硅、非晶硅等)

动力与机械制造工艺热能_压力加工工艺基础知识（压力加工新工艺）

动力与机械制造工艺热能_铸造工艺基础知识（铸件结构工艺性）

焊接是将两个分离的金属通过加热或加热、加压,产生原子的结合与扩散作用而形成永久性连接的工艺方法

动力与机械制造工艺热能_铸造工艺基础知识（砂型铸造造型工艺）

一、加工工艺产品制造的方法。 二、工艺规程制订的原则——是优质、高产、低成本,即在保证产品质量的前题下,争取最好的经济效益