常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管, 本章重点介绍常用半导体器件的结构,伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础

为了提高空穴传输材料TPD（三苯基二胺衍生物）的热稳定性和器件的寿命，用TPD通过Friedel-Crafts反应和二卤化合物进行缩聚，将TPD结构单元引入到聚合物的主链，得到了一系列具有电荷传输性能的新型电致发光聚合物．研究发现，所有聚合物的热稳定性均高于TPD，能带结构几乎没有发生改变，有的聚合物既能传输空穴，又能传输电子．考察了单层器件的发光性能．结果显示，器件最大亮度在17V时约为36cd·m-2，最大发射为460nm．

ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值

根据开关器件中流过的电流选开关器件开关器件中流过的电流为:

以燃料电池、光伏电池等为代表的新能源在实际应用中需要大功率DC-DC变换器对其输出电压进行调节,同时对其输出功率进行控制.本文将高效SiC MOSFET应用于燃料电池汽车两相交错式Boost型DC-DC变换器中,基于计算、仿真和实验手段分析了应用SiC功率器件变换器的性能.研究结果表明:在大功率DC-DC变换器中,新型SiC功率器件的应用能够提高变换器功率密度、增强变换器可靠性,提升动力系统工作效率.该研究结果将为新型电力电子器件的应用以及新能源相关领域的研究提供参考

在这一章中,将解释污染对器件工艺、器件 性能和器件可靠性的影响,以及芯片生产区域存 在的污染类型和主要的污染源。同时也简要介绍 洁净室规划、主要的污染控制方法和晶片表面的 清洗工艺等 5.2污染类型 微粒金属离子化学物质细菌 ·微粒器件对污染物的敏感度取决于特征图形的 尺寸和晶体表面沉积层的厚度。由于特征图形尺 寸越来越小,膜层厚度越来越薄,所允许存在的 微粒尺寸也必须控制在更小的尺度上

第八章可编程逻辑器件 本章知识要点: 一、PLD的基本概念 二、低密度可编程逻辑器件 三、复杂可编程逻辑器件 四、现场可编程门阵列 五、在系统编程技术简介

• 光学器件的冷加工基本工艺 • 光学器件的技术要求与工艺特点 • 粗磨、铣磨、精磨、抛光等主要工艺 • 光学辅料 • 其它重要工艺

任务2 识别与检测电感元件及变压器 任务3 识别与检测半导体器件 任务4 识别与检测其他半导体器件 任务5 识别与检测机电元件及电声元件 任务6 识别与检测常用传感元件 任务7 识别与检测SMT片状元器件

第 1 章 实验技术及电子测量的基本知识 -3 1.1 正确使用测量仪器 -3 1.2 合理地安装、布线实验装置 -5 1.3 选择合适的测试点 -7 1.4 测量的基本概念 -8 1.5 电压的测量方法 -11 1.6 阻抗测量 -11 1.7 频率、时间和相位的测量 -12 第 2 章 模拟电路实验 -14 2.1 实验一 常用电子仪器使用练习及认识二极管 -14 2.2 实验二 晶体管特性测量 -19 2.3 实验三 放大电路及性能 -26 2.4 实验四 集成运算放大器的基本应用（1）：基本运算电路 -30 2.5 实验五 集成运算放大器的基本应用（2）：信号处理——有源滤波器 -35 2.6 实验六 集成运算放大器的基本应用（3）：波形发生电路 -39 2.7 实验七 音频集成功率放大器 -43 附录一 一些实验装置、仪器的使用说明 -46 1 VC9801A + 型数字万用表 -46 2 YX-960TR 万用表 -50 3 YB2173B 双路数字交流毫伏表 -51 4 YB1700 系列三路直流稳压电源 -54 5 TES-1 型电子技术学习机 - 58 附录二 电路元器件简介-63 1 常用电路元器件简介-63 1.1 电阻器的识别与型号的命名法-63 1.2 电容器的识别与型号的命名法-66 1.3 常用半导体器件型号命名法-69 1.4 几种常用模拟集成电路简介- 74 1.5 常用的数字集成电路简介- 83 2 设计型实验主要器件简介- 89 2.1 发射/接收型超声波传感器- 89 2.2 光电耦合器- 90 2.3 蜂鸣器- 91 2.4 A/D 和 D/A 转换器- 91