常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管, 本章重点介绍常用半导体器件的结构,伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础

根据开关器件中流过的电流选开关器件开关器件中流过的电流为:

第八章可编程逻辑器件 本章知识要点: 一、PLD的基本概念 二、低密度可编程逻辑器件 三、复杂可编程逻辑器件 四、现场可编程门阵列 五、在系统编程技术简介

5.1 连接匹配元件 5.2 功率分配元器件 5.3 微波谐振器件 5.4 微波铁氧体器件

• 光学器件的冷加工基本工艺 • 光学器件的技术要求与工艺特点 • 粗磨、铣磨、精磨、抛光等主要工艺 • 光学辅料 • 其它重要工艺

8.0概述 8.1可编程阵列逻辑(PAL)器件 8.2通用逻辑阵列(GAL器件 8.3复杂可编程逻辑器件(CPLD)

4.8.1. PSD器件的工作原理 4.8.2. 一维PSD器件 4.8.3.二维PSD器件 4.8.4 光生伏特器件的偏置电路 4.8.5 零伏置电路

为了提高空穴传输材料TPD（三苯基二胺衍生物）的热稳定性和器件的寿命，用TPD通过Friedel-Crafts反应和二卤化合物进行缩聚，将TPD结构单元引入到聚合物的主链，得到了一系列具有电荷传输性能的新型电致发光聚合物．研究发现，所有聚合物的热稳定性均高于TPD，能带结构几乎没有发生改变，有的聚合物既能传输空穴，又能传输电子．考察了单层器件的发光性能．结果显示，器件最大亮度在17V时约为36cd·m-2，最大发射为460nm．

ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值

4.2.1电力电子器件的分类 两大分支: 一是以晶闸管为代表的半控型器件; 二是新型的品类繁多的全控型器件,如电力晶体管(GTR),可关断晶闸管(GTO),功率场效应晶体管(功率 MOS FET),绝缘栅极双极晶体管(IGBT)等