综述了多晶卤化物钙钛矿薄膜的局限性, 卤化物钙钛矿量子点的基本光学性质和制备方法, 以及在光电探测器方面的器件结构研究进展, 并重点介绍了应用在0D-2D混合维度异质结基光电晶体管器件的突破, 包括界面载流子行为和高性能光探测器的构建.最后, 总结了卤化物钙钛矿量子点作为未来商业化应用的光电子器件和电子器件的候选材料所面临的主要问题和挑战, 譬如化学不稳定性、铅毒性问题、量子点与其他材料间界面高效电荷传输等问题, 并提出了解决思路和方法.这为设计和推进高性能、高稳定性卤化物钙钛矿量子点基光电功能化器件的商业化应用指明了方向

常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管， 本章重点介绍常用半导体器件的结构，伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础

常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管， 本章重点介绍常用半导体器件的结构，伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础

7-1可编程逻辑器件PLD概述 7-2可编程逻辑器件PLD的基本单元 7-3可编程只读存储PROM和可编程逻辑阵列PLA 7-4可编程逻辑器件PAL和通用逻辑阵列GAL 7-5高密度可编程逻辑器件 HDPLD原理及应用 7-6现场可编程门阵列FPGA 7-7随机存取存储器(SRAM)

纳米电子学以 一、微电子技术今后发展将受到的限制 二、量子电子器件 纳米电子器件的发展 三、单电子晶体管,单电子存储器,逻辑电路 四、分子电子学和分子电器件 五、原子电器件 六、纳米电器件的集成和量子计算机 七、微电子技术过去30年的发展

1、新型衬底结构器件 2、新型栅结构器件 3、新型沟道结构器件 4、新型工作机制器件

 1.1 热释电器件的基本工作原理 1.2 热释电器件的灵敏度  1.3 热释电器件的噪声  1.4 热释电器件的类型 1.5 典型热释电器件 1.6 热探测器概述

常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管, 本章重点介绍常用半导体器件的结构,伏安特性和主 要参数。 半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半 导体器件的特征是分析电子电路的基础

为了提高空穴传输材料TPD（三苯基二胺衍生物）的热稳定性和器件的寿命，用TPD通过Friedel-Crafts反应和二卤化合物进行缩聚，将TPD结构单元引入到聚合物的主链，得到了一系列具有电荷传输性能的新型电致发光聚合物．研究发现，所有聚合物的热稳定性均高于TPD，能带结构几乎没有发生改变，有的聚合物既能传输空穴，又能传输电子．考察了单层器件的发光性能．结果显示，器件最大亮度在17V时约为36cd·m-2，最大发射为460nm．

ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备逐步得到实现.本文综述了利用激光限域技术制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法,并详述了其在太阳能电池和光电化学电池中的应用.激光干涉法制备的ZnO纳米阵列比表面积大且具有直线传输的优势,运用于光伏器件和电化学电池中增加了光吸收同时利于载流子传输,器件性能显著提高.图案化ZnO纳米棒阵列具有可控的三维空间结构,广泛应用关于各类能源器件中,具有极大的研究和应用价值