《电子技术基础》课程PPT教学课件（模拟部分）05 场效应管及放大电路

《电子技术基础》课程PPT教学课件（模拟部分）04 三极管及放大电路基础

《电子技术基础》课程PPT教学课件（模拟部分）03 二极管及其基本电路

《电子技术基础》课程PPT教学课件（模拟部分）01 绪论

§2-1 基本运算电路 §2-2 对数和反对数运算电路 §2-3 运算放大器的误差分析

中国科学技术大学：《电子技术基础》课程教学资源（PPT课件讲稿，模拟部分）第十章 信号处理与信号产生电路 §10.1 滤波电路的基本概念

§1-1 电子系统与信号 §1-2 放大电路的基本知识

2.1集成电路运算放大器 2.1.1电路如图题2.1.1(主教材图2.1.3)所示,运放的开环电压增益 A。=10°,输入电阻7=10°,输出电阻rn=750,电源电压V.=+10V, V.=-10v。(1)求运放输出电压为饱和值时输入电压的最小幅值tp-v=?

5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?

4.1 BJT 4.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 V=-9V,V=-6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发 射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。 解:由于锗BJT的vsE≈0.2V,硅BT的vBE|≈0.7V,已知BJT的 电极B的VB=-6V,电极C的V=-6.2V,电极A的V=-9V,故电极A 是集电极