4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

本课程是电子信息工程、通信工程、计算机及物理等专业本科生的专业基础课，本课程的主要任务是学习常用的半导体器件的结构、导电机制、伏安特性及其主要参数，在此基础上进一步学习各种电子电路的基本组成、工作原理和分析方法，使学生初步掌握电子电路的分析计算和设计方法，以便为学习数字电子技术、高频电路、通信电子线路和信号与系统等后续课程提供必要的基础理论知识。在学习本课程前学生需要具备工程数学、物理和电路分析等方面的知识

第2章电路的分析方法 2.1电阻串并联联接的等效变换 2.2电阻星型联结与三角型联结的等效变换 2.3电压源与电流源及其等效变换 2.4支路电流法 2.5结点电压法 2.6叠加原理 2.7戴维宁定理与诺顿定理 2.8受控源电路的分析 2.9非线性电阻电路的分析

1. 掌握基本门电路的逻辑功能、逻辑符号、真值 表和逻辑表达式。了解 TTL门电路的特点。 3. 会分析和设计简单的组合逻辑电路。 4. 理解加法器、编码器、译码器等常用组合逻辑 电路的工作原理和功能。 5. 学会数字集成电路的使用方法。 本章要求： 2. 会用逻辑代数的基本运算法则化简逻辑函数

一、低通原型及元件值 二、阻抗变换和频率变换

重点：是多级放大电路的祸合方式及其特点,多级放大电路的动态参数与组成它的各级电路的关系,差分放大电路工作原理和静态工作点、差模放大倍数、共模放大倍数、共模抑制比、输入电阻、输出电阻的分析和估算,互补输出级的工作原理。难点：是组成多级放大电路的各级电路的输入电阻和输出电阻对多级放大电路动态参数的影响,单端输出差分放大电路静态和动态的分析,为什么在直流信号作用时的输出电压需用交流等效电路来分析等问题

一、实验目的 1、了解模拟乘法器（MC1496）的工作原理，掌握其调整与特性参数的测量方法。 2、掌握利用乘法器实现混频，平衡调幅，同步检波，鉴频等几种频率变换电路的原理及方法

2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法 2–7 共集电极放大器和共基极放大器 2–8 放大器的级联

重点：直流稳压电源的组成及各部分的作用,单相桥式整流电路的分析和估算,电容滤波电路的分析和估算,稳压管稳压电路的分析和限流电阻的估算,串联型稳压电路的分析和输出电压调节范围的计算,三端稳压器的应用,串联、并联开关型稳压电路的原理及特点。难点：各种稳压电路的稳压原理。表现为学生在自己组成稳压管稳压电路时常不接限流电阻,在分析串联型稳压电路时不能正确判断调整管是否工作在放大状态、不能正确判断电路是否引入的是负反馈,等等

2.1电阻串并联联接的等效变换 2.2电阻星型联结与三角型联结的等效变换 2.3电压源与电流源及其等效变换 2.4支路电流法 2.5结点电压法 2.6叠加原理 2.7戴维宁定理与诺顿定理 2.8受控源电路的分析 2.9非线性电阻电路的分析