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中国科学技术大学:《现代薄膜技术》课程教学资源(PPT课件)第三章 真空技术
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一、CVD过程中典型的化学反应 二、CVD过程的热力学 三、 CVD过程的动力学 四、CVD过程的数值模拟技术 五、CVD薄膜沉积装置
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一、薄膜图形化的光刻技术 二、光刻使用的等离子体刻蚀技术 三、等离子体刻蚀机制 四、 未来的纳米光刻技术
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一、离子镀方法的原理和特点 二、 各种各样的离子镀方法 三、 其他制备薄膜的PVD方法
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8.1电机的温升和温升限度 一、电机中常用绝缘材料及其容许工作温度 1.种类:漆、薄膜、纤维制品 2.主要指标击穿强强
文档格式:PPT 文档大小:3.31MB 文档页数:74
一、外延生长用来生长薄层单晶材料,即薄膜 二、外延生长:在一定条件下,在单晶衬底上,生长一层合乎要求的单晶层的方法
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5.1 IGZO金属氧化物半导体的物理基础 5.1.1 IGZO的结构与能带 5.1.2 a-IGZO中的电子态 5.1.3 CAAC-IGZO中的电子态 5.1.4 IGZO中的载流子传输机制 5.2 IGZO-TFT的工作原理与特性 5.3 金属氧化物 TFT 中的关键材料 5.4 金属氧化物半导体薄膜的制备工艺 5.4.1 磁控溅射法 5.4.2 溶液法 5.5 金属氧化物TFT 结构、制造工艺与性能 5.6 金属氧化物TFT的稳定性
文档格式:PDF 文档大小:3.51MB 文档页数:77
4.1 多晶硅半导体的物理基础 4.2 LTPS TFT的工作原理与特性 4.3 LTPS TFT中的关键材料技术 4.3.1 多晶硅薄膜制备技术 4.3.2 绝缘层技术 4.3.3 掺杂与激活 4.4 非晶硅晶化技术
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