用密闭容器蒸汽法测定了1600℃下,纯铁液中镁硫平衡时的镁硫溶度积为K'MgS=2.36×10-4,求得平衡常数KMgS=2.10×10-4

介绍了硫容量的理论背景、KTH模型计算硫容量方法以及硫平衡分配比的计算方法,分析了影响硫平衡分配比的因素。结果表明：硫平衡分配比随钢液中[%C],[%Al]的增加而增加,随钢液温度的增加而降低；硫容量随钢液温度增加而增加,随渣中(%Al2O3)/(%CaO)比值的增加而降低

利用管式氢处理炉研究了TC4钛合金压坯的温度-平衡氢分压关系以及吸氢动力学行为,测定了吸氢速率常数和激活能,并分析了吸氢反应各个阶段的反应机理.结果表明,随着吸氢温度的升高,达到平衡所需要的时间缩短,吸氢后的平衡氢分压升高.在350℃吸氢时,反应机制分别是形核长大、幂函数定律和三维扩散.在400℃吸氢时,反应机制分别是幂函数定律和三维扩散.在450~750℃吸氢时,反应机制均是三维扩散.TC4钛合金压坯吸氢反应的激活能为14.55kJ·mol-1

用硼径迹照相法和透射电镜观察了冷却过程中硼的晶界非平衡偏聚形成过程．实验发现，以2℃/s冷速从1150℃冷却到640℃的过程中，硼在晶界上的非平衡偏聚可以分成扩散行为不同的3个阶段．实验测定了晶界富集因子、富集带宽度、贫硼区宽度和贫化因子等偏聚特征，并对有关现象进行了初步讨论．

以GaN和(Ga1-xInx)P半导体的金属有机物气相外延生长(MOVPE)为例分析了V族气源物质NH3和PH3热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影响.根据外延生长过程中NH3和PH3实际分解状况,建立了气源物质不同分解状态下的热力学模型,进而应用Thermo-calc软件计算出与之对应的成分空间.计算结果与实验数据的对比表明:GaN和(Ga1-xInx)P半导体的MOVPE过程的热力学分析必须根据V族气源物质NH3和PH3的实际热分解状况,进行完全平衡或限定平衡条件下的计算和预测,完全的热力学平衡分析仅适用于特定的温度区段或经特殊气源预处理的工艺过程

12.1群体遗传学及其研究特点 12.2群体遗传结构 12.3遗传平衡定律 12.4影响遗传平衡定律的因素

在同时考虑络合剂离解平衡、金属离子水解平衡及络合平衡间的相互影响的情况下,分析了各离子分布系数理论计算的数学方程式,利用计算机对金属离子加络剂体系中各离子分布系数的计算进行解析,给出了最简便优化的运算方法及程序框图,详细讨论了多元酸络合剂体系中单络合剂及双络合剂的情况,并进一步将结果推广到更普遍的情况,对化学镀镍中常用络合剂体系的离子分布系数进行了计算

4.1 静力学的基本概念和物体的受力分析 4.2 平面汇交力系的合成与平衡 4.3 力对点的矩和平面力偶系的合成与平衡 4.4 平面一般力系的简化和平衡 4.5 摩擦 4.6 空间力系

在密闭容器中用蒸汽平衡法研究了1480℃～1590℃内,镍液中镁-氧反应平衡,以及1480℃下镍液中合金元素Fe、Al、Cr对镁的活度的影响。实验测得,1480～1580℃下:$\\log {K_{{\\rm{MgO}}}} = 0.50 + 1.27 \\times {10^4}/T;△G_{{\\rm{MgO}}}^{\\rm{o}} = 2.43 \\times {10^5} - 9.57T({\\rm{J/mol}});e_{\\rm{O}}^{{\\rm{Mg}}} = 1.10 \\times {10^3} - 2.19 \\times {10^6}/T$。1480℃下：$e_{{\\rm{Mg}}}^{{\\rm{Fe}}} = - 0.28;e_{{\\rm{Mg}}}^{{\\rm{Al}}} = - 0.51;e_{{\\rm{Mg}}}^{{\\rm{Cr}}} = 0.72$

采用Wagner的热力学模型,设计了计算程序。计算含Mn、Si、Ni、Cr、Mo、Cu、V、Nb、w、Co等10种合金元素(合金含量<7%)的多元系低合金钢的奥氏体-铁素体平衡及仲平衡温度,用该程序计算了多元系统合金钢的奥氏体-铁素体平衡温度,计算结果和实际测量值符合得很好