一、静电平衡条件： （1）导体内部任何一点处的电场强度为零； （2）导体表面处电场强度的方向，都与导体表面垂直

一 电场线 (1) 切线方向为电场强度方向 1 规定 2 特点 (1) 始于正电荷，止于负电荷，非闭合线.典型电场

一、静电场小结 二、典型的静电问题 给定导体系中各导体的电量或电势以及各导体的形状、相对位置(统称边界条件),求空间泛电场分布,即在一定边界条件下求解定

1 库仑定律和电场强度 2 真空中的高斯定理 3 电位 4 介质极化与高斯定理的一般形式 5 静电场的基本方程和边界条件 6 电容 7 静电场的能量

 1 库仑定律和电场强度  2 真空中的高斯定理  3 电位  4 介质极化与高斯定理的一般形式  5 静电场的基本方程和边界条件  6 电容  7 静电场的能量

1. 了解电荷量子化、电荷守恒； 2. 掌握库仑定律及其适用条件、电场力叠加原理； 3. 理解电场强度概念，掌握场强叠加原理； 4. 理解电通量概念，掌握静电场的高斯定理；

《电磁学》教学计划 《普通物理学》第五版 第八章真空中的静电场 8-1电荷库仑定律 8-2电场电场强度 8-3高斯定理 8-4静电场的环路定理电势 8-5等势面电势梯度

4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路

5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较