上一章,已经系统地介绍了定积分的基本 理论和计算方法。在这一章中,将利用这些知 识来分析解决一些实际问题。定积分的应用很 广泛,在自然科学和生产实践中有许多实际问 题最后都归结为定积分问题。本章不仅对一些 几何物理量导出计算公式,更重要的是介绍运 用“微元法”将所求的量归结为计算某个定积 分的分析方法

上一章,已经系统地介绍了定积分的基本 理论和计算方法。在这一章中,将利用这些知 识来分析解决一些实际问题。定积分的应用很 广泛,在自然科学和生产实践中有许多实际问 题最后都归结为定积分问题。本章不仅对一些 几何物理量导出计算公式,更重要的是介绍运 用“微元法”将所求的量归结为计算某个定积 分的分析方法

采用常规铸造和分段式倾斜板过流冷却铸造工艺制备Al-22Si-2Fe-xMn合金，研究表明：过流冷却制备工艺能够改善初生Si形貌及尺寸，但对针状富Fe相作用有限.利用扫描电镜、X射线衍射及透射电镜等手段分析过流冷却条件下Mn元素添加对富Fe相晶体结构的影响，通过摩擦磨损实验研究不同Mn/Fe质量比的过共晶Al-Si合金的硬度及耐磨损性能.结果表明：随着过流冷却铸造过共晶Al-Si合金中Mn/Fe质量比增加，合金中四方结构的长针状富Fe相逐渐减少直至基本消失，当Mn/Fe质量比为0.7时，富Fe相主要为六方结构的块状或鱼骨状α-Al15（Fe，Mn）3Si2相，此时，合金耐磨性较未添加Mn元素时有所提升，磨损机制以磨料磨损方式为主

通过对镀有不同厚度（0、15、30、60 μm）Cr涂层的TC4钛合金在不同氧压下进行的富氧点燃试验，研究了镀Cr层厚度对TC4钛合金燃烧性能的影响规律，并通过扫描电子显微镜（Scanning electron microscope, SEM）、能谱分析（Energy dispersive spectrometer，EDS）和X射线衍射（X-ray diffraction, XRD）等手段进行显微组织分析。结果表明：当Cr层厚度为15 μm和30 μm时，对TC4的燃烧临界氧压无明显影响，而Cr层厚度增加到60 μm时，可将TC4的燃烧临界氧压由0.07 MPa提高至0.15 MPa。同时，燃烧速率随Cr层厚度的增加而降低，说明Cr层厚度的增加能有效抑制火焰传播速度。其作用机理可能是在燃烧的过程中，表层Cr元素通过固相扩散、熔化等方式进入熔池，与合金中的Al、V元素共同析出，形成了弥散分布的富Cr、Al、V相，并减少了Al与O的结合，对O元素的扩散有阻碍作用，从而降低了燃烧速率

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第一节引言 硅平面工艺是制造 MOS IC的基础。利用不同的 掩膜版,可以获得不同功能的集成电路。因此, 版图设计成为开发新品种和制造合格集成电路的关键。 1、手工设计 人工设计和绘制版图,有利于充分利用芯片面 积,并能满足多种电路性能要求。但是效率低、 周期长、容易出错,特别是不能设计规模很大的 电路版图。因此,该方法多用于随机格式的、产 量较大的MSI和LSI或单元库的建立

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