4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET的主要参数 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 4.4.4 小信号模型分析法的适用范围 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路（CMOS共源放大电路） 4.7 多级放大电路 4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路 4.8.1 JFET的结构和工作原理 4.8.2 JFET的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 *4.9 砷化镓金属-半导体场效应管 4.10 各种FET的特性及使用注意事项

第一讲绪论 第二讲半导体基础知识 第三讲半导体二极管 第四讲晶体三极管 第五讲共射放大电路的工作原理 第六讲放大电路的分析方法 第七讲静态工作点的稳定 第八讲晶体管放大电路的三种接法 第九讲场效应管及其放大电路 第十讲多级放大电路

1.电路仿真的意义和作用 1.1电路仿真:就是把电子器件和电路模块以数学模型表示,并配合数值分析和图形模拟显示的方法,实现电路的功能模拟和特性分析

拉普拉斯变换及其基本性质 拉普拉斯逆变换 复频域中的电路定理和电路模型 拉普拉斯变换分析线性动态电路的暂态过程 复频域网络函数

•二进制、二进制与十进制的相互转换 •逻辑代数的公式与定理、逻辑函数化简 •逻辑门电路的逻辑符号及逻辑功能 •组合电路的分析方法和设计方法 •典型组合逻辑电路的功能 10.1数字电路概述 10.2逻辑门申路 10.3逻辑函数及其化简 10.4组合逻辑电路的分析与设计 10.5组合逻辑部件

 概述  组合逻辑电路分析  组合逻辑电路设计  考虑特殊问题的逻辑设计  若干常用的组合逻辑电路  组合逻辑电路中的竟争——冒险

1. 电路组成 2. 简化电路及习惯画法 3. 简单工作原理 4. 放大电路的静态和动态

本章在一阶电路的基础上,用经典分析二阶电路的过渡过程通过简单的实例,阐明二阶动态电路的零输入响应、零状态响应、全响应、阶跃响应和冲击响应等基本概念

6.1 概述 6.2 时序逻辑电路的分析方法 6.3 若干常用的时序逻辑电路 6.4 时序逻辑电路的设计方法 6.5 时序逻辑电路中的竞争——冒险现象

6.1 概述 6.2 时序逻辑电路的分析方法 6.4 时序逻辑电路的设计方法 6.3 若干常用的时序逻辑电路 6.5 时序逻辑电路中的竞争-冒险现象