第一节 异质结及其能带图 第二节 异质结在半导体光电器件中的作用 第三节 异质结制备工艺与晶格匹配 第四节 超晶格与量子阱

7.1 平板显示器的构成与性能参数 7.2 液晶的电光响应特性 7.3 TFT-LCD像素架构 7.4 TFT-LCD的像素级驱动原理 7.5 TFT-LCD的驱动系统 7.6 α-Si:H TFT背板制造技术 7.7 LTPS TFT-LCD中的集成技术 7.8 低功耗TFT LCD 7.9 LTPS TFT 背板制造工艺技术

以酸处理红辉沸石为原料,采用水热反应晶化合成工艺,合成出了质量较高的4A沸石产品。在大量实验基础上,利用X射线衍射分析、扫描电镜观察等系统地研究了反应过程。在整个反应过程中,酸处理红辉沸石和铝酸钠不断溶解,固相的SiO2和Al2O3不断转化为液相的SiO2和Al2O3。这表明,A型沸石的形成是以液相各组分浓度的过饱和为动力,以液相为传质的,因此为液相转化机理

在热力学计算的基础上,利用10kg感应炉模拟电弧炉进行了不锈钢脱磷试验,讨论了不锈钢脱磷的工艺要点,建议温度为1600℃的水平时,脱磷碳含量应大于1.55%

对硫化镍电解阳极泥提硫后硫磺渣,进行了真空蒸馏硫磺渣提取元素硫的工艺研究,并分析了影响蒸馏过程的因素.结果表明:采用真空蒸馏-冷凝方法从硫磺渣回收元素硫并得到硫磺,其形态为α-型硫;残渣含化合态硫可降为15.10%,无元素硫;最大脱硫率达97.08%

在敞口镁砂坩埚内,采用金属水冷非转移弧和石墨转移弧等离子体,以氮、氩、氧等混合气体为氮合金化元素,冶炼含氮的铬锰镍合金和不锈钢。在30min内,不锈钢中含氮达0.15%~0.30%,代镍可达2%~6%。分析钢液氮合金化的热力学、动力学条件,研究化学吸附和电吸附氮的现象,提出了强化扩散和对流扩散,加速钢液吸氮速度,提高钢液氮含量的工艺条件

结合国内外电炉烟气热量处理的现状,分析了热管式余热回收的原理及特点,研究了其系统的结构特点、工艺流程、关键参数以及如何使系统产生的蒸汽质量满足VD(RH)炉生产的要求,并对其在莱钢50t电炉余热回收中的工程应用情况进行了阐述,指出该技术具有良好的应用前景

7.1 PLD 概述 7.1.1 PLD 的电路结构及分类 7.1.2 PLD 的编程工艺及描述的逻辑规则和符号 7.1.3 PLD 的设计过程及主要优点 7.2 只读存储器 7.2.1 ROM 的内部结构 7.2.2 用ROM 实现组合逻辑设计 7.2.3 常用的LSI ROM器件 7.3 可编程逻辑阵列 7.4 可编程阵列逻辑 7.4.1 组合PAL器件 7.4.2 时序PAL器件 7.5 通用逻辑阵列概述 7.5.1 GAL器件的主要特点 7.5.2 GAL器件的基本机构 7.5.3 GAL器件的命名及分类 7.6 硬件描述语言

采用高速电镀实验装置强制电解液湍流运动,在高电流密度下,对简单硫酸盐体系中Zn-Ni合金电沉积规律进行了研究,证明Zn-Ni共沉积为异常共沉积,镀液中[NI]/[Ni+Zn]比及电流密度增加,镀层镍含量上升;镀液流速增加,镍含量下降。确定了高速电镀该合金工艺

探索了以YSZ纳米粉体为原料,采用流延成型的方法制备YSZ电解质薄片的工艺过程,研究了YSZ纳米粉体及流延后坯体的性能,以及通过实验获得的瓷体性能.粉体粒度分布窄,在0.1~0.3μm之间,中位径为0.157μm.坯体在968.9℃开始有明显收缩,在1 279.9℃收缩最快,而在1400℃后,收缩值基本稳定于20%.坯体的致密度良好,相对密度为64.1%,通过烧结得到的瓷体的相对密度可达97.8%,晶粒细密均匀,大小为1-4 μm,晶界明显.YSZ薄片随温度的升高表现出良好的电性能,在900℃时的电导率达0.106 S/cm