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高炉炉衬侵蚀微观机理
文档格式:PDF 文档大小:2.04MB 文档页数:6
对高炉上部中、低温区和下部高温区取砖样,应用热力学计算、扫描电镜和能谱分析等方法,从热力学和微观机理两方面研究了高炉衬砖侵蚀机理.结果表明:K对碳砖的侵蚀具有穿透力,Na则没有;K是通过K蒸气穿透到砖中,而Na是通过气体带着Na的化合物渗透到砖缝中.在高温区Zn对砖的侵蚀作用很小,中、低温区Zn对砖的侵蚀影响最大
用热激发电流法研究金刚石薄膜中的陷阱
文档格式:PDF 文档大小:462.68KB 文档页数:5
对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的硅衬底金刚石薄膜,做了在液氮温区注入载流子,升温测其电流-温度关系的实验.观察到as-grown样品有明显的热激发电流峰.重复实验时,峰基本消失.经氢等离子体在~900℃处理2.5h后,再重复实验,该峰又出现.推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的.这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过适当热处理消除的
冷却过程中硼的晶界非平衡偏聚实验观察
文档格式:PDF 文档大小:1.3MB 文档页数:5
用硼径迹照相法和透射电镜观察了冷却过程中硼的晶界非平衡偏聚形成过程.实验发现,以2℃/s冷速从1150℃冷却到640℃的过程中,硼在晶界上的非平衡偏聚可以分成扩散行为不同的3个阶段.实验测定了晶界富集因子、富集带宽度、贫硼区宽度和贫化因子等偏聚特征,并对有关现象进行了初步讨论.
《模拟电子技术》课程教学资源(自测题)第一章 常用半导体器件(自测题,含答案)
文档格式:DOC 文档大小:3.6MB 文档页数:16
第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。 (2)因为N型半导体的多子是自由电子所以它带负电。 (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零
清华大学电子系:《逻辑设计与数字系统》课程教学讲义(数字电子技术基础)第六章 存储器和可编程器件
文档格式:DOC 文档大小:1.85MB 文档页数:20
6.1引言 定义:存储器是带有存取电路的储存二进信息单元的集合。在计算机中的很多部分广泛应用。 两种主要类型:RAM,ROM RAM(Random memory):随机存储器暂存数据。例:用于处理器内外部的快速 CACHE
清华大学:《C语言程序设计》课程电子教案(PPT教学课件,第二版)第十四章 C+对C的扩充
文档格式:PPT 文档大小:153.5KB 文档页数:54
第14章C++对C的扩充 14.1C++的特点 14.2最简单的C++程序 14.3C++的输入输出 14.4函数的重载 14.5带缺省参数的函数 14.6变量的引用类型5 14.7内置函数 14.8作用域运算符 14.9动态分配/撤销内存的运算符new和 delete 14.10小结
北京邮电大学:《数据通信原理》课程教学课件(PPT课件)第十章 数字信号的载波传输(1/3)
文档格式:PPT 文档大小:594.5KB 文档页数:31
10.0概述 1.调制的目的:使数字信号适合在带通信道中传输; 2.模拟调制与数字调制的异同相同点: a.实现信号的频谱搬移和变换; b.载波为正弦信号; c.可采用调幅、调频和调相等方式。 区别: a.通常受控参数变化离散化; b.可同时调制多于一个的参数,如相位与幅度
《电力电子装置设计与应用》 第四讲 单相C型变压器计算
文档格式:PPT 文档大小:63KB 文档页数:7
单相C型变压器计算 C型变压器是采用晶粒取向冷轧硅钢带卷绕而成的一种变压器。具有材料利用率高、电磁性能好工装简单、体积小、重量轻和效率高等优点
对外经济贸易大学:《电子商务》课程教学资源(PPT课件讲稿)第四讲 电子商务时代的挑战
文档格式:PPT 文档大小:272.5KB 文档页数:55
电子商务时代的挑战 1、电子商务带来的法律法规真空,经济金融管理问题; 2、新时代贸易、金融业务与系统的发展战略: 3、数字化电子货币的发行、支付与管理 4、对付黑客的公共网络信息的安全保密问题
浙江大学:《概率论与数理统计》课程教学资源(电子讲义,第三版)第十六讲 数理统计的基本概念和抽样分布
文档格式:DOC 文档大小:294.5KB 文档页数:8
数理统计是运用概率论的知识,研究如何有效地对带有随机性影响的数据进行收集、整理、 分析和推断的学科,由于随机性现象广泛存在于工、农业生产、工程技术、自然科学和社会科学 等领域中,因此数理统计有着最广泛的应用
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