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《C语言程序设计(Visual C++ 6.0环境)》常见错误
文档格式:DOC 文档大小:32KB 文档页数:5
1书写标识符时,忽略了大小写字母的区别。 main( int a=5; printf(\%\,); } 编译程序把a和A认为是两个不同的变量名,而显示出错信息。C认为大写字母和小写字母是两个不同的 字符。习惯上,符号常量名用大写,变量名用小写表示,以增加可读性。 2忽略了变量的类型,进行了不合法的运算
《Verilog HDL语言》教程教学资料(参考书籍)第8章 行为建模
文档格式:PDF 文档大小:623.68KB 文档页数:24
在前几章中,我们已经介绍了使用门和UDP实例语句的门级建模方式,以及用连续赋值 语句的数据流建模方式。本章描述 Verilog HDL中的第三种建模方式,即行为建模方式。为充 分使用 Verilog HDL,一个模型可以包含所有上述三种建模方式
高等学校21世纪教材:《计算机网络》第1章 计算机网络概述
文档格式:PPT 文档大小:291.5KB 文档页数:33
第一章计算机网络概述(第一讲 1.1计算机网络的发展 1.1.1计算机与通信相结合 计算机网络(Computer Network)出现的历史不长,但发展很快,经历了一个从简单到复杂的演变过程。 第一代计算机网络: 远程联机系统:以单个计算机为中心的计算机网络前端处理机FE终端控制器TC远程联机系统的典型结构如图:
《数字电子技术》课程教学资源(教案讲义,第四版)第五章 触发器
文档格式:DOC 文档大小:212.5KB 文档页数:18
这一章,介绍一种新的逻辑部件--触发器触发器的“新”在于它具有“记忆功 能,它是构成时序逻辑电路的基本单元。本章首先介绍基本RS触发器的组成原理、特点 和逻辑功能。然后引出能够防止“空翻”现象的主从触发器和边沿触发器。同时,较详细 地讨论RS触发器、JK触发器、D触发器T触发器、T触发器的逻辑功能及其描述方 法。最后,通过一个实例帮你进一步体会触发器的“记忆”功能
计算机专业技术基础课程:《数字电路与逻辑设计》教学资源(PPT课件讲稿,必修课)第四章 组合逻辑电路
文档格式:PPT 文档大小:971.5KB 文档页数:46
第四章组合逻辑电路 本章知识要点: 一、组合逻辑电路分析和设计的基本方法; 二、组合逻辑电路设计中的几个实际问题; 三、组合逻辑电路中的竞争与险象问题
《接入网技术》小知识点
文档格式:DOC 文档大小:83.5KB 文档页数:2
QAMa Quadrature Amplitude Modulation,正交御度调间 DATe Discrete multi Tone,高 捷入网的两个武准G.902、Y.1231 多背 CAPI Carrierless Amplitude-Phase 无新相调制 G902定义献入同围由三个接口定界:用产网始接日 UNI User Network Interface(连新代的 DSLI ADSI2、ADSL2+、vDsL 接用户与接入网之问的接口,类型:单一UM和共享UN)业务节点接口 SNI Service xDSL 2.DL EEE HDSL、sDsL、Isl
清华大学:《数字图像处理 Digital Image Processing》课程教学资源(PPT课件讲稿)第六章 图像编码
文档格式:PPT 文档大小:151.5KB 文档页数:24
6.1基本概念 6.1.1数据冗余 数据图像压缩中的关键概念,数据是用来表示信息的,信息包括有 用信息和无用信息,设n1、n分别代表表达相同信息的2个数据集合中的 信息载体单元的个数,相对数据冗余R定义为:
《模拟电子技术基础》第四版课程教学资源(习题库,附答案)第4章 集成运算放大电路题解
文档格式:DOC 文档大小:4.17MB 文档页数:15
一、判断下列说法是否正确,凡对的在括号内打“√”,否则打“×”。 (1)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将 它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为1000。() (2)阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,()它只能放大 交流信号。()
西安交通大学:《芯片制造-半导体工艺实用教程》 第六章 工艺良品率
文档格式:PPT 文档大小:218KB 文档页数:5
一、概述 高水平的工艺良品率是生产性能可靠的芯 片并获得收益的关键所在。本章将简单介绍影 响良品率的主要工艺及材料要素,并对良品率 测量点做出阐述。 维持及提高良品率对半导体工业至关重要 ,因为半导体制造工艺的复杂性,以及生产一 个完整封装器件所需要经历的庞大工艺制程, 是导致这种对良品率超乎寻常关注的基本原因 。这两方面的原因使得通常只有20%至80%的芯 片能够完成生产线全过程,成为成品出货
西安交通大学:《芯片制造-半导体工艺实用教程》 第三章 晶园制造
文档格式:PPT 文档大小:577.5KB 文档页数:11
3.1概述 在这一章里,主要介绍沙子转变成晶体, 以及晶园和用于芯片制造级的抛光片的生产步 骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的 晶园,最早使用的是1英寸,而现在300mm直 径的晶园已经投入生产线了。因为晶园直径越 大,单个芯片的生产成本就越低。然而,直径 , 越大,晶体结构上和电学性能的一致性就越难 以保证,这正是对晶园生产的一个挑战
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