一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

1、行列式 1.n行列式共有n2个元素,展开后有n!项,可分解为2行列式 2.代数余子式的性质: ①、A,和a的大小无关 ②、某行(列)的元素乘以其它行(列)元素的代数余子式为0; ③、某行(列)的元素乘以该行(列)元素的代数余子式为|A| 3.代数余子式和余子式的关系:M=(-1)AA=(-1)M 4.设n行列式D:

稳定表达：转化的目的基因和染色体整合到一起，但整合并不一定意味着表达，只有整合到表达区的基因才会表达，而且整合到不同的染色体区段的外源基因的表达的量也是不同的。瞬时表达：转化的目的基因不整合到染色体上，结果是短暂的高水平的表达，可以在24-96小时内检测表达效果，表达水平与位置无关，不会受到周围染色体元件的影响

学习单元一 拾音器 学习单元二 超声波传感器 学习单元三 微波传感器 学习单元四 无线射频识别

第一节 基本定义 第二节 无环体系的构象分析 第三节 环已烷系的构象分析 第四节 四元、五元和七元系的构象分析 第五节 十氢化萘系的构象分析 第六节 用二面角分析环系构象

12.1 单质 12.2 氢化物 12.3 卤化物 12.4 含氧酸的种类及性质 12.5 简单含氧酸的结构 12.6 含氧酸酸性强弱 12.7 非金属含氧酸及其盐的性质

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到N型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中应掺入少量的() A三价元素 B.四价元素 C五价元素 D六价元素

M—C成键 过渡金属: 空的d轨道 M—CO ( 受体) M—CH2CH2 ( 给体) 主族元素: M—C 成键  给体

1-1卤族元素的某些基本性质 表1-1 利用有关的原子结构、分子结构、晶体结构的知识及热力学基本原理去理解和解释