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用电化学阻抗谱(EIS)和开路电位测量法(OCPM)研究了在1mol·L-1盐酸溶液中乌鲁托N(UP)与45#钢的界面吸附及缓蚀行为.EIS表明:随着缓蚀剂UP浓度的增大,吸附膜逐渐形成,电荷传递电阻增大.在缓蚀剂浓度为0.01mol·L-1时,缓蚀效率出现最大值;大于该浓度时,缓蚀效率下降.OCPM表明:加缓蚀剂UP前后体系自腐蚀电位的改变与温度的倒数呈线性关系.UP对阳极过程有抑制作用,是阳极型缓蚀剂;吸附热为一35kJ/mol,吸附形式为物理吸附.
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1.1 机电传动控制的目的与任务 1.2 机电传动控制的发展
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§4.1 三相交流电源 4.1.1 三相电动势的产生 4.1.2 三相交流电源的连接 §4.2 三相负载及三相电路的计算 4.2.1 星形接法及计算 4.2.2 三角形接法及计算 §4.3 三相电路的功率
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1.半导体电导率 在一般电场情况下,半导体的导电服从欧姆定律:j=E--为电导率 半导体中可以同时有两种载流子,将电流密度写成:j=nq+pqv ,分别为空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 —平均漂移速度和外场的关系:
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光电信息技术是光子技术与微 电子技术的结合,是现代信息技术 的核心,已广泛应用于各行各业。 本书比较全面地介绍了光电信息技 术的物理基础、电光信息转换、光 电信息转换和光电信息技术的应用 ,比较注重光电信息技术应用的新 成果和新发展
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一、电场 库仑定律给出了两个点电荷相互作用的定量关系 问题:相互作用是如何传递的?
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《电工学》答案 第1章 电路的基本概念与定律
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基本题 1.一无限长带电线,电荷线密度为,将它弯成如图所示,求p点场强 2.一半径为R,电荷体密度为p
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1频率响应(或称频率特性) 2.波特图
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第一章半导体产业介绍 一、概述 微电子从40年代末的第一只晶体管(Ge合金管 )问世,50年代中期出现了硅平面工艺,此工艺 不仅成为硅晶体管的基本制造工艺,也使得将多 个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成 为可能,随着制造工艺水平的不断成熟,使微电 子从单只晶体管发展到今天的ULSI 回顾发展历史,微电子技术的发展不外乎包括 两个方面:制造工艺和电路设计,而这两个又是 相互相成,互相促进,共同发展
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