第1章电路模型和电路定律 本章重点 1.1电路和电路模型 1.5电阻元件 1.2电流和电压的参考方向 1.6电压源和电流源 1.3电功率和能量 1.7受控电源 1.4电路元件 1.8基尔霍夫定律

第一章 电路元件和电路定律 (circuit elements) (circuit laws) 重点： 1. 电压、电流的参考方向 2. 电路元件特性 3. 基尔霍夫定律 1.1 电路和电路模型 1.2 电压和电流的参考方向 1.3 电路元件的功率 1.4 电阻元件 1.5 电源元件 1.7 受控电源 1.6 基尔霍夫定律

电介质中的传导电流 电介质中的电导特性 电介质传导电流的测量 电介质的电导 讨论电介质电导的意义 介质损失角正切 工程介质的介质损耗 讨论介质损耗的意义

非晶电学性能及非晶电性材料

一、供热效应 二、机械或磁场效应 三、电化效应

4-3-1 电导率(electrical conductivity)和电阻率 4-3-2 材料的结构与导电性 Structures and Conductivity 4-3-4 材料的超导电性(superconductivity) 4-3-5 材料的介电性(dielectric property)

一、皮肤分析仪 二、奥桑喷雾仪 三、高频电疗仪 四、阴阳电离子仪 五、超声波美容仪

一、(15分)在图一所示的电阻电路中,试求电压

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域

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