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银—氧化锌电触头合金的组织和性能
文档格式:PDF 文档大小:993.31KB 文档页数:6
本工作研究了添加元素Te、In、Sn、Al和Ni对内氧化Ag-4-8.5wt%Zn合金组织和性能的影响。少量Te或Te、In、Sn均能改善合金组织状态,使合金中氧化物呈粒状而且分布均匀;Al、Ni则不能改变这类合金中氧化物的针状特征。结果指出,添加适当的元素和控制ZnO含量能获得高抗熔焊性、高抗腐蚀性和低的接触电阻等开关特性优异的触头材料
《电子技术》课程习题解答(数字电子技术)第九章 硬件描述语言
文档格式:PDF 文档大小:71.62KB 文档页数:6
这章的习题可以分为两种类型:一类是用 Verilog hDl语言描述一个逻辑 电路;另一类是根据 Verilog HDl谙言的描述画出相应的逻辑电路图 用 Verilog HDL语言描述一个逻辑电路 解题方法和步骤:
《色谱》气相色谱法的应用
文档格式:DOC 文档大小:43KB 文档页数:7
⑴石油气的分析石油气(C1~C4)的成分分析,目前都采用气相色谱法。以 25%丁酮酸乙酯为固定液,6201 担体,柱长 12.15m,内径 4mm,柱温 12℃,氢为载气,流速 25ml/nin,热导池电桥电流 120~150mA, C1~C4 各组分得较好的分离见图 10。 图 10 石油在丁酮酸乙酯柱上的分离 1-空气;2-乙烷;3-乙烯;
聚合物B位前驱体法制备锆钛酸铅纳米复相陶瓷微观结构
文档格式:PDF 文档大小:1.79MB 文档页数:5
采用前驱体法合成了钙钛矿型B位离子氧化物固溶体,以此作为B位先驱体与碳酸铅通过固相反应在740℃合成A位缺铅的亚稳态钙钛矿型锆钛酸铅(PZT)固溶体.烧结过程中纳米级四方和单斜ZrO2纳米粒子从固溶体中析出.借助X射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜对物相、组成和微观结构进行了分析.随ZrO2的加入量增加,断口从沿晶穿晶混合断裂变为穿晶断裂.研究表明,采用聚合物B位前驱体法成功制备出内晶型锆钛酸铅纳米复相陶瓷
新型高磁能铁铬钴钼柱晶永磁合金研究
文档格式:PDF 文档大小:1.25MB 文档页数:7
本文研究了新型高磁能铁铬15钴-2钼-0.5钛柱晶永磁合金。该合金最佳磁性为:Br=14900高斯,Hc=680奥斯特,(BH)m=7.4×106高奥,达到了国内先进水平。在扬声器、测振仪传感器、电表、自动控制仪表上试用效果良好。研究了添加元素钼、钛、硫对磁性及柱晶的影响,发现添加钼未增加磁晶各向异性,而回火则大大提高合金的单轴各向异性。本文研究了柱晶合金斯皮诺达分解产物α1相的形貌和分布与热处理工艺的关系,给出了透射电镜照片
哈佛商学经典译丛·名著系列:《竞争战略》书籍电子版(迈克尔·波特)竞争战略PDF电子书 Competitive Strategy
文档格式:PDF 文档大小:701.67KB 文档页数:246
本书提供了分析技巧的综合框架,它有助于一个公司对产业进行总体分析、预测产业未来的演变、理解竞争对手以及自身地位,并根据具体企业情况将这种分析转化为竞争战略
《计算机病毒》第3章 信息系统隔离技术
文档格式:PPT 文档大小:650.5KB 文档页数:82
隔离就是在内部系统与对外连接通道上设置阻塞点,以 便对攻击者进行监视和控制,有效地维持被保护网络的 边界安全。按照《国家信息化领导小组关于我国电子政 务建设的指导意见》,“电子政务网络由政务内网和政 务外网构成,两网之间物理隔离,政务外网与Internet之 间逻辑隔离”,网络隔离技术从大的方面看,可以分为 逻辑隔离(主要指防火墙)和物理隔离(主要指网闸)。 本章主要介绍它们及其相关技术
银川能源学院(银川大学):《电力系统分析》课程教学资源(课件讲稿)第4章 复杂电力系统潮流计算
文档格式:PDF 文档大小:614.48KB 文档页数:63
4.1 电力网络的数学模型 4.2 功率方程和节点分类 4.3 牛顿-拉夫逊法潮流计算 4.4 P-Q分解法潮流计算 4.5 Matlab 在电力系统潮流分析中的应用举例
《生物传感器》差分法测定谷氨酰胺的生物传感器研制
文档格式:DOC 文档大小:47KB 文档页数:2
在分离纯化谷氨酸氧化酶过程中同时得到的谷氨酰胺水解酶。该酶与谷氨酸氧化酶的混合酶是制作谷氨酰胺酶膜 的好材料,制得的谷氨酰胺酶膜,可在具有差分分析功能的 SBA-40C 型生物传感分析仪上实现了谷氨酰胺的分析。 该谷氨酸-谷氨酰胺双功能分析仪,有两个 H2O2 电极,一个电极装有复合酶膜,膜上固定着谷氨 酰胺酶和谷氨酸 氧化酶
西安电子科技大学:《电磁场与电磁波》课程电子教案(PPT课件讲稿)第6章 平面电磁波
文档格式:PPTX 文档大小:1.13MB 文档页数:83
1 理想介质中的均匀平面波 2 平面波的极化 3 有耗媒质中的均匀平面波 4 均匀平面波对平面分界面的垂直入射 5 均匀平面波对理想导体表面的斜入射 6 均匀平面波对理想介质表面的斜入射
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