一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分 1要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的() A三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D六价元素

第一章 引言 第二章 片上电感的物理模型与特性分析 第三章 片上电感的优化设计 第四章 测试与分析 第五章 结论

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于() A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺

(1)头皮、皮下组织、帽状腱膜和骨膜； (2)头颈部血管和肌肉； (3)颅底动脉及其分支，颅内大静脉及其分支； (4)三叉、舌咽、迷走神经及其神经节

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(1)头皮、皮下组织、帽状腱膜和骨膜； (2)头颈部血管和肌肉； (3)颅底动脉及其分支，颅内大静脉及其分支； (4)三叉、舌咽、迷走神经及其神经节。 头部痛觉纤维分布

一、统计规律性 二、速率分布函数 三、麦克斯韦速率分布律 四、分子速率的三个统计值 五、麦克斯韦率度分布曲线

例1.若理想气体的体积为V,压强为P,温度 为T,一个分子的质量为m,k为玻耳兹曼常量 R为摩尔气体常量,则该理想气体的分子数为

一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏

一、单项选择题(本大题共15小题,第110小题,每小题1分,第11-15小题,每小题2分,共20分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.当PN结承受反向电压时,其内部电流关系为() A扩散电流大于漂移电流 B扩散电流等于漂移电流 C扩散电流小于漂移电流