1.(20分) t=0时,描写氢原子中的电子的波函数为 R3Yi R2(+o) L3 其中R为径向波函数,为球谐函数.求 (a)该电子的能量E,角动量平方2,角动量分量L2和自旋z分量s2的可 能值及相应几率

第1章 原子结构与键合 第2章 固体结构 第3章 晶体缺陷 第4章 固体中原子及分子的运动 第5章 材料的形变和再结晶 第6章 单组元相图及纯晶体的凝固 第7章 二元系相图及其合金的凝固 第8章 三元相图 第9章 材料的亚稳态

晶体中原子的周期性排列形成了晶体一定的宏观对称性，不同的形式的原子排列形成的宏观对称性， 其对称操作也具有一定的限制。 描述晶体周期性的布拉伐格子：{ } 1 1 2 2 3a3 l a l a l K K K + + —— 经历对称操作后晶体不变，相应的布拉伐格子也不变

N型半导体中的主要载流子是电子,同时也有少量的空穴载流子,电子被称为多数载流子一一多子。 空穴被称为少数载流子一一少子。 P型半导体中的主要载流子是空穴,同时也有少量的电子载流子,空穴被称为多数载流子一一多子。 电子被称为少数载流子一一少子。 在热平衡下,半导体中的杂质电子,或价带中的电子通过吸收热能,激发到导带中(载流子的产生), 同时电子又可以回落到价带中和空穴发生复合(载流子的复合),最后达到平衡时,载流子的产生率 和复合率相等,电子和空穴的浓度有了一定的分布

铝镁合金在制造业中应用广泛, 但其在特定应变率下的塑性失稳不利于加工应用. 溶质原子与位错的交互作用是塑性失稳的微观机理. 本文采用势能曲面过渡态搜索技术计算了铝镁合金中替代型溶质镁原子向位错芯迁移的过渡态, 确认了溶质原子与位错芯的交互作用范围, 并采用过渡态理论估算了迁移扩散所需的时间, 且区分了无空位及有空位参与迁移两种情况. 结果表明, 位错压应力区内的溶质原子迁移无明显规律, 而在位错拉应力区内, 随着溶质原子与位错间距的缩短, 迁移势能垒和系统总能量均逐渐降低. 说明目前广泛采用的经验原子势可以很好地反映溶质原子易朝位错拉应力区偏聚这一现象. 溶质原子迁移的过渡态证实迁移过程中的微观结构变化因溶质原子所处位置不同而各异, 而交互作用范围不超过约2 nm. 空位参与对迁移的辅助作用被量化为迁移热激活时间的缩短, 并得出其可在微秒量级. 当溶质原子完成迁移稳定至位错芯附近, 并不倾向于沿位错线密集分布

第二节小分子糖在食品中的特性与应用 一、小分子糖与食品有关的物理性质 二、小分子糖与食品有关的化学性质

采用原子探针层析技术研究了核反应堆压力容器模拟钢中AlN相/α-Fe基体、富Cu相/α-Fe基体和AlN相/富Cu相三种相界面处Ni、Mn、P和C原子的偏聚特征.压力容器模拟钢经890℃保温0.5 h水淬，然后在500℃进行了20 h的时效处理.分析结果表明：Ni、Mn、C和P原子在富Cu相/AlN相界面上不发生偏聚；而在AlN相/α-Fe基体和富Cu相/α-Fe基体两种相界面上都会发生偏聚，且偏聚特征无明显区别，都是Mn的偏聚倾向大于Ni，C的偏聚倾向大于P

1．带有自旋的电子在电磁场中的 Hamiltonian 实验证明，在外磁场中，原子的能级会发生分裂，结果是原子的特征谱线也发生分裂，这称为 Zeeman 效应。理论的解释是：电子的磁矩和外磁场产生了附加的相互作用能

1.带有自旋的电子在电磁场中的Hamiltonian 实验证明,在外磁场中,原子的能级会发生分裂,结果是原子的特征谱线也发生分裂,这称为 Zeeman 效应。理论的解释是:电子的磁矩和外磁场产生了附加的相互作用能

第六章固体中的扩散 扩散是物质中原子(分子或离子)的迁移现象,是物质传输的一种方式。 气态和液态的扩散是人们在生活中熟知的现象,例如在花园中漫步,会感到 扑鼻花香;又如,在一杯净水中滴入一滴墨汁,不久杯中原本清亮的水就会变得 墨黑。这种气味和颜色的均匀化过程,不是由于物质的搅动或对流造成的,而是 由于物质粒子(分子、原子或离子)的扩散造成的。扩散会造成物质的迁移,会 使浓度均匀化,而且温度越高,扩散进行得越快