§7.1 磁力与电荷的运动 §7.2 磁场与磁感应强度 §7.3 带电粒子磁场中的运动 §7.4 霍耳效应 §7.5 载流导线在磁场中受力 §7.6 磁场是哪里来的 *

1.1 半导体中的电子状态 1.2 半导体的电学性质 1.3 半导体的光学性质 1.4 半导体磁学性质

采用自制的装置,通过阳极弧光放电法制备了内包覆Fe/Co磁性纳米粒子的碳纳米管(CNTs).利用透射电子显微镜(TEM)、拉曼散射光谱和X射线衍射(XRD)对其进行表征,用振动样品磁强计(VSM)检测得到其磁学性能参数.TEM测试表明,CNTs杂质少,管径均匀一致,CNTs内包覆的物质均匀、连续,且为Fe/Co粒子.磁学性质的测量表明,CNTs的磁学性能较包覆前有了很大的改善,其比饱和磁化强度σs为17.30A·m2·kg-1,比剩余磁化强度σr为3.96A·m2·kg-1,矫顽力Hc为31521.60A·m-1

§1 法拉第电磁感应定律 §2 动生电动势 §3 感生电动势 感生电场 §4 互感 §5 自感 §6 磁场能量

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域

1.材料的物理性质表述为电学性质、磁学性质、光学性质和热学性质。 2.材料的硬度表征为布氏硬度、洛氏硬度和维氏硬度等。 3.材料的化学性质主要表现为催化性质和防化性质

为了简化传统无取向电工钢的生产工艺,降低消耗,提高无取向电工钢的磁学性能,通过氧气顶吹转炉(BOF)-RH真空处理-LF精炼炉-薄板坯连铸连轧(CSP)-酸洗连轧-连续退火流程,成功开发了全工艺冷轧无取向电工钢50W800并实现了批量化生产。研制的50W800铁损P1.5/501.71T,板形和表面质量良好,涂层具有优良的耐蚀性能和绝缘性能,能够满足电机行业的使用要求

一、电极化:在外电场作用下,介质内的质点(原子、分子 、离子)正负电荷重心的分离,使其转变成偶极子的过程。 或在外电场作用下,正、负电荷尽管可以逆向移动,但它们 并不能挣脱彼此的束缚而形成电流,只能产生微观尺度的相 对位移并使其转变成偶极子的过程

分别在空气和N2中高温烧结得到了不同掺杂浓度的Fe3O4:Zn粉末.X射线衍射(XRD)结果表明,空气中烧结使得样品过氧化,生成大量的α-Fe2O3相,而N2环境下烧结可以获得较纯的ZnxFe3-xO4相.Zn2+在反尖晶石结构中A位的替位掺杂,影响到B位Fe阳离子的价态分布,电子输运依然保持了电子变程跳跃的传导机制.磁性测量结果显示低浓度的Zn2+掺杂对Fe阳离子之间的超交换耦合作用产生影响,也使负的磁致电阻的数值有所改善

第一节 电子的轨道磁矩和自旋磁矩 第二节 原子磁矩 第三节 稀土及过渡元素的有效玻尔磁子 第四节 轨道角动量的冻结（晶体场效应） 第五节 朗之万顺磁性理论