3.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA=-9V,VB 6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN 管还是PNP管

（1）了解非正弦量产生的原因和分解的方法； （2）掌握非正弦量的有效值、平均值和平均功率的计算； （3）掌握非正弦周期电流电路的分析方法

5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法

1．预习第 6 章 储能元件。 第 6 章 储能元件、第 8 章 相量法 复数，正弦量 第 9 章 正弦稳态电路的分析 阻抗和导纳，阻抗的串并联, 相量图 1．回顾第三章中的回路电流法和结点电压法 5（分钟） 7 矩阵形式与第三章中的方程组的对比 8（分钟）

3.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、c的对地电位分别为a=-9v,VB= 6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN 管还是PNP管

3.4.1 概述 3.4.2 乙类推挽输出级的工作原理 3.4.3 输出功率，管耗和效率的分析计算 3.4.4 达林顿组态

10.3.1 二极管的结构 10.3.2 二极管的伏安特性 10.3.3 二极管的主要参数 10.3.4 二极管电路的分析

3. 1 结型场效应管（JFET） 3. 2 绝缘栅场效应管（MOSFET） 3. 3 场效应管电路的分析方法及应用

第九章拉普拉斯变换、卷积积分、状态方程 主要内容: (1)拉氏变换的定义及基本性质; (2)拉氏反变换方法(分解定理); (3)运算电路及初始条件的转换; (4)网络函数及零极点分析; (5)卷积积分; (6)状态方程的建立

3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.3.1 二极管的结构 3.3.2 二极管的I-V特性 3.3.3 二极管的参数 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管 3.5.2 变容二极管 3.5.3 肖特基二极管 3.5.4 光电器件