1 微波基本测量 2 二维电场的模拟实验 3 电磁波的布拉格衍射实验 4 射频图像传输 5 偏振光实验 6 光源光谱特性的测量 7 光磁共振实验 8 半导体光电导实验 9 光栅实验 10 单色仪的标定实验 11 迈克尔逊干涉仪 12 半导体光伏效应实验 13 半导体霍尔效应实验 14 PN 结正向压降温度特性实验 15 半导体少数载流子寿命测量 16 四探针测电阻率实验

《物理学报》：用阶跃回复法测量砷化镓结型（P-N结和M-S结）两极管的载流子寿命

§ 5.1 平衡PN结 PN结的形成和平衡能带图及自建势 空间电荷区和耗尽近似 泊松方程和电势、电场分布 § 5.2 偏置PN结及其IV特性 偏置PN结能带图和准费米能级 偏置PN结的载流子分布和电流输运 偏置PN结的瞬态特性 § 5.3 PN结电容 耗尽电容 扩散电容 § 5.4 PN结的击穿 雪崩击穿 齐纳击穿

本章将讨论在热平衡条件下，半导体的基本特性及其物理基础，主要包括：平衡半导体载流子分布的物理规律；掺杂对半导体性质的影响等问题。 §3.1 本征半导体和本征费米能级 §3.2 非本征半导体 §3.3 费米能级 §3.4 重掺杂半导体 §3.5 深能级杂质和多重能级杂质

概念：由三个杂质半导体区（发射区，基区，集电区）及两个PN结（发射结和集电结）构成的，有两种载流子（自由电子和空穴）在其内部作扩散、复合、漂移等复杂运动的PNP或NPN晶体管

一．基本概念： 1． 半导体材料、本征半导体、载流子、杂质半导体（N 型、P 型）及其导电性能 2． PN 结及其 PN 结的单向导电型 3． 二极管、三极管的结构、分类、输入输出特性（曲线）、常用参数

第一章半导体材料导电型号、电阻率、少数载流子寿命的测量 第二章化学腐蚀一光学方法检测晶体缺陷和晶向 第三章霍尔系数、迁移率和杂质补偿度的测量 第四章外延片的物理测试 第五章红外吸收光谱在半导体测试技术中的应用 第六章扫描电子显微镜及其在半导体测试技术中的应用 第七章透射电子显微镜晶体缺陷分析 第八章Ⅹ射线在半导体测试技术中的应用 第九章结电容和CV测试技术 第十章半导体中痕量杂质分析

第九章 载流子的散射 第十章 半导休中的热现象 第十一章 复杂能带中的输运现象 第十二章 强电场下的热电子 第十三章 光的吸收和反射 第十四 章磁光现象、量子磁揄运、磁共振 第十五章 半导体中的发光现象 第十六章 非晶态半导体

第一章 晶格结构和结合性质 第二章 半导体中的电子状态 第三章 电子和空穴的平衡统计分布 第四章 输运现象 第五章 过剩载流子 第六章 pn结 第七章 半导体表面层和MIS结构 第八章 金属半导体接触和异质结

所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产 生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔 实验目的 发现的 实验原理 根据霍尔效应做成的霍尔器件,广泛应用于传感和开关设备