4.1 磁敏传感器的物理基础——霍尔、磁阻、形状效应 4.2 霍尔元件 4.3 磁阻元件 4.4 磁敏二极管 4.5 磁敏三极管 4.6 磁敏传感器的应用 思考题与习题

一、定义 磁敏传感器是基于磁电转换原理的传感器。1856年发现磁阻效应， 1879年发现霍尔效应60年代初开始应用。 二、分类 体型：霍尔传感器，磁敏电阻 结型：磁敏二极管，磁敏晶体管

一、载流子的漂移运动和迁移率 二、迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 三、载流子的散射 四、强电场效应 五、霍尔效应 六、磁阻效应

1 微波基本测量 2 二维电场的模拟实验 3 电磁波的布拉格衍射实验 4 射频图像传输 5 偏振光实验 6 光源光谱特性的测量 7 光磁共振实验 8 半导体光电导实验 9 光栅实验 10 单色仪的标定实验 11 迈克尔逊干涉仪 12 半导体光伏效应实验 13 半导体霍尔效应实验 14 PN 结正向压降温度特性实验 15 半导体少数载流子寿命测量 16 四探针测电阻率实验

霍耳效应是德国物理学家霍耳（A.H.Hall 1855—1938）于 1879 年在他的导师罗兰 指导下发现的。由于这种效应对一般的材料来讲很不明显，因而长期未得到实际应用。 六十年代以来，随着半导体工艺和材料的发展，这一效应才在科学实验和工程技术中 得到了广泛应用

霍耳效应是德国物理学家霍耳（A.H.Hall 1855—1938）于 1879 年在他的导师罗兰 指导下发现的。由于这种效应对一般的材料来讲很不明显，因而长期未得到实际应用。 六十年代以来，随着半导体工艺和材料的发展，这一效应才在科学实验和工程技术中 得到了广泛应用

实验一 夫兰克一赫兹实验 .4 实验二 密立根油滴实验 . . .9 实验三 迈克耳逊干涉仪的调整与使用 .22 实验四 激光全息照相实验 .28 实验五 原子发射光谱实验(一).36 实验六 原子发射光谱实验(二).40 实验七 核磁共振实验 .45 实验八 智能型光电效应实验仪测普朗克常数 .53 实验九 分光计的调整和使用 .59 实验十 光速的测量 .67 实验十一 超声光栅测声速.73 实验十二 塞曼效应实验 .79 实验十三 喇曼光谱实验 .87 实验十四 变温霍尔效应实验 .95 前 言

电学实验操作规程 电磁学实验的常用仪器和器件 实验一 电表的改装和校准 实验二 电位差计的原理和使用 实验三 示波器的原理和使用 实验四 模拟静电场 实验五 交流电路的谐振现象 实验六 用冲击电流计测定螺线管磁场 实验七 示波器测绘铁磁材料的磁化曲线和磁滞回线 实验八 RLC 串联电路的稳态过程 实验九 RLC 串联电路的暂态过程 实验十 交流电路功率的测量和功率因数的提高 实验十一 密立根油滴实验 实验十二 周期函数的傅里叶分析 实验十三 磁阻效应及磁阻传感器 实验十四 霍尔效应 实验十五 直流、交流电桥 实验十六 电子和场实验 实验十七 巨磁电阻效应及应用 设计性实验 一 多种方法测量电容与电感量 二 电路研究交流谐振电路品质因数系统误差 三 用电位差计测定表头参数 四 用示波器作为零示器设计交流电桥

电学实验操作规程 . . . . . . . . . . . . . .1 电磁学实验的常用仪器和器件 . . . . . . . . . . . .2 实验一 电表的改装和校准 . . . . . . . . . . . .7 实验二 电位差计的原理和使用 . . . . . . . .13 实验三 示波器的原理和使用 . . . . . . . .19 实验四 模拟静电场 . . . . . . . . . . . .29 实验五 交流电路的谐振现象 . . . . . . . . . .35 实验六 灵敏电流计的研究 . . . . . . . . . .41 实验七 用冲击电流计测定螺线管磁场 . . . . . . . .48 实验八 示波器测绘铁磁材料的磁化曲线和磁滞回线 . . . . .53 实验九 RLC 串联电路的稳态过程 . . . . . . . . . . .58 实验十 RLC 串联电路的暂态过程. . . . . . . . . . . 61 实验十一 交流电路功率的测量和功率因数的提高 . . . . . . .66 实验十二 密立根油滴实验 . . . . . . . . . . . . . 72 实验十三 周期函数的傅里叶分析 . . . . . . . . . . 79 实验十四 液体电导率测量实验 . . . . . . . . . . . 82 实验十五 磁阻效应及磁阻传感器 . . . . . . . . . . .89 实验十六 霍尔效应 . . . . . . . . . . . . . . .93 实验十七 直流、交流电桥 . . . . . . . . . . . . . 98 实验十八 电子和场实验 . . . . . . . . . . . . . 108 实验十九 巨磁电阻效应及应用 . . . . . . . . . . . 116 设计性实验 一 多种方法测量电容与电感量 . . . . . . . . . .132 二 电路研究交流谐振电路品质因数系统误差 . . . . . .133 三 用电位差计测定表头参数 . . . . . . . . . .134 四 用示波器作为零示器设计交流电桥 . . . . . . . .135

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域