电学实验操作规程 . . . . . . . . . . . . . .1 电磁学实验的常用仪器和器件 . . . . . . . . . . . .2 实验一 电表的改装和校准 . . . . . . . . . . . .7 实验二 电位差计的原理和使用 . . . . . . . .13 实验三 示波器的原理和使用 . . . . . . . .19 实验四 模拟静电场 . . . . . . . . . . . .29 实验五 交流电路的谐振现象 . . . . . . . . . .35 实验六 灵敏电流计的研究 . . . . . . . . . .41 实验七 用冲击电流计测定螺线管磁场 . . . . . . . .48 实验八 示波器测绘铁磁材料的磁化曲线和磁滞回线 . . . . .53 实验九 RLC 串联电路的稳态过程 . . . . . . . . . . .58 实验十 RLC 串联电路的暂态过程. . . . . . . . . . . 61 实验十一 交流电路功率的测量和功率因数的提高 . . . . . . .66 实验十二 密立根油滴实验 . . . . . . . . . . . . . 72 实验十三 周期函数的傅里叶分析 . . . . . . . . . . 79 实验十四 液体电导率测量实验 . . . . . . . . . . . 82 实验十五 磁阻效应及磁阻传感器 . . . . . . . . . . .89 实验十六 霍尔效应 . . . . . . . . . . . . . . .93 实验十七 直流、交流电桥 . . . . . . . . . . . . . 98 实验十八 电子和场实验 . . . . . . . . . . . . . 108 实验十九 巨磁电阻效应及应用 . . . . . . . . . . . 116 设计性实验 一 多种方法测量电容与电感量 . . . . . . . . . .132 二 电路研究交流谐振电路品质因数系统误差 . . . . . .133 三 用电位差计测定表头参数 . . . . . . . . . .134 四 用示波器作为零示器设计交流电桥 . . . . . . . .135

(In, Co)共掺的ZnO薄膜（ICZO薄膜）在100 ℃下通过射频（RF）溅射沉积至玻璃基板上。沉积过程采用In、Co、Zn三靶共溅射。通过调节靶功率，获得了不同In含量的ICZO薄膜。研究了不同In含量下薄膜电学性质和磁学性质的变化。分别使用扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HR-TEM）、原子力显微镜（AFM）、电子探针扫描（EPMA）、X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试（Hall measurement）和振动样品磁强计（VSM）对薄膜的成分、形貌、结构、电学特性和磁学特性进行了表征和分析。详细分析了薄膜中载流子浓度对磁学性质的影响。实验结果表明，随着薄膜中In含量的提高，薄膜中载流子浓度显著提高，薄膜的导电性得到优化。所有的薄膜均表现出室温下的铁磁特性。与此同时，束缚磁极化子（BMP）模型与交换耦合效应两种不同的机制作用于ICZO半导体材料，致使薄膜的饱和磁化强度随载流子浓度发生改变，并呈现在三个不同的区域