一、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共2分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1半导体三极管处在放大状态时是() AC结正偏e结正偏 B.c结反偏e结反偏 C.c结正偏e结反偏 Dc结反偏e结正偏

本文总结了三种贝氏体球铁齿轮的齿根弯曲疲劳极限应力σF11n的测定结果。根据齿轮疲劳强度的快速测定方法,采用ISO/TC60424《直齿及斜齿园柱齿轮传动承载能力计算的基本原理》,求得循环基数No=3×106时的σF11n（可靠度为99%）分别为: 作者对测定结果和断口特点进行了初步分析

WHATIS DESIGN??? A DESIGN IS PLAN FOR Manufacturing an artifact E A refrigerator or a rug Building the mean of manufacture E Afactory or a chemical plant Building a structure E A bridge or a baseball stadium Implementing an organization A hospital emergency room E A air transportation system

真空电弧重熔镍基高温合金GH220,自耗电极端部熔化区\突出环\内部的镁分布基本均匀;而熔化液层及液固两相区的镁分布不均匀,从熔化液层表面到原始电极区镁含量显著增高。熔化液层中距表面约0.3毫米内的镁含量[Mg]s和重熔锭镁含量[Mg]i均与电极原始镁含量[Mg]e呈直线关系,本试验条件下,[Mg]s=0.18[Mg]e;[Mg]i=0.30[Mg]e。重熔过程的镁挥发主要发生于电极端部熔滴形成阶段,挥发过程主要受控于镁由原始电极向熔化液层-气相界面迁移的速度,传质系数K12=0.107厘米·秒-1。真空感应熔炼GH220,镁挥发受液相边界层中扩散与界面挥发反应的混合控制,并非受控于气相边界层中镁的扩散。在试验条件下,液相边界层中镁的扩散与界面挥发反应总传质系数K23=10-1~10-2厘米·秒-1,而气相边界层中镁扩散的传质系数K4=47.17厘米·秒-1。根据(d[Mg])/dτ=-K23·VA及-K23与工艺参数的关系,建立了镁挥发的数学模型,即[Mg]e与镁加入量、挥发温度、气相压力、保持时间、合金液面面积、溶体体积之间的定量关系式。此模型在实验室和生产条件下均得到了很好的验证,可用于调整真空感应熔炼的工艺参数,实现有效的控制合金镁含量

3D技术的发展受到其引发的不舒适感的限制,长时间观看立体显示影像将会引起立体视觉疲劳,一种客观评价立体视觉疲劳的有效指标亟待提出.本文利用EEG (electroencephalography)三个频带θ(4~8 Hz)、α(8~13 Hz)、β(13~22Hz)的相对能量及其能量比值E(α+θ)/β、Eα/β、E(α+θ)/(α+β)在八个不同脑区及整个脑区的54个指标作为备选,借助配对t检验、灰色关联度分析(GRA)、支持向量机(SVM),最后得出指示由立体深度运动引发的视觉疲劳的最佳脑电指标为:顶区Eα/β.并比较了三个频带相对能量在不同疲劳状态的变化:疲劳状态下,α频带明显上升(p < 0.01),β频带明显下降(p < 0.01),θ频带保持稳定

(1)∵内能是态函数,故△Eabd=△Eac 故 Oadb AE adb +Wadb =224+42 =266(J) (2) =AEba +Wba =-AEacb Wha =-224-84=-308(J)放热 (3) ad= d +Wad =(Ed-E)+Wadb =168+42=210(J) Qab=△Ea+O=E-Ea =(E-Ea)-(E-Ea)=Ea-168 =△Eacb-168=224-168=56(J) 8-21mol单原子理想气体i=3

一正交矩阵的定义与性质 1.定义 若n阶方阵A满足A'A=E,则称A为正交矩阵 2.性质 (1)=±1;(:'=e,A'A=1,a=1) (2)A,B为正交矩阵,则AB也是正交矩阵; (:(AB)(AB)=B'(A'A) B=B'B=E.) (3)A是正交矩阵A-1=A;AA=E) (4)A是正交矩阵A也是正交矩阵;

一、选择题 A型题 1.a2.e3.d4.c5.d6.b7.8.d9.c10.e11.a 12.e13.a14.c15.b16.a17.d18.e19.d20.c21.c22.c 23.c24.b25.b26.c27.a2

一、选择题 A型题 1.c2.c3.c4.b5.d6.b7.e8.d9.a10.d11.b12.b 13.b14.e15.16.C17.C18.C19.20.b21.d22.d23.c 24.b25.e26.e27.c28.c29.d30.c31.a32.a33.b34.d

定义1(扩张矩阵)：已知e += 及反例矩阵NE. 对每一 j∈N, 用“死元素”*对 在NE中第j列的所有出现做代换，这 样得出的矩阵叫做正例e +在反例NE背景下的扩张矩阵。记为 EM(e+ |NE), 或简记为EM(e+ )