对于中规模、大规模和某些VLSI的IC，前面介绍的基本光刻工艺完全适用，然而 ，对于ULSI/VLSI IC 这些基本工艺已经明显力不能及。在亚微米工艺时代，某些光刻工艺在0.3µm以下明显显示出它的局限性。存在地问题主要包括：光学设备的物理局限；光刻胶分辨率的限制；晶园表面的反射现象和高低不平现象等

1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用； 2. 讨论杂质扩散的原理和过程； 3. 对离子注入有一个总体认识，包括它的优缺点； 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性； 5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统； 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应； 7. 描述离子注入的各种应用

通过本章的学习，将能够： 1. 画出典型的亚微米 CMOS IC 制造流程图； 2. 描述 CMOS 制造工艺14个步骤的主要目的； 4. 讨论每一步 CMOS 制造流程的关键工艺

在本章中，将介绍从显影到最终检验所使用的基本方法。还涉及掩膜版工艺的使用和定位错误的讨论。 9.1 显影 9.2 硬烘焙

一、晶体结构和晶体分类 1、晶体结构 外观上：具有规则的几何形状 微观上：晶体点阵（晶格） 基本特征：规则排列，表现出长程有序性 晶体中的重复单元称为晶胞

第一节 质子旋进式磁敏传感器 第二节 光泵式磁敏传感器

第一节 传感器的地位和作用 第二节 传感器的定义 第三节 传感器的组成 第四节 传感器的分类 第五节 传感器的发展趋势 第六节 传感器的特性 第七节 传感器的选用原则

第一节 温室盆花的栽培措施 一、培养土 二、上盆 三、换盆 四、转盆 五、倒盆 六、松盆土 七、盆花浇水 八、盆花施肥 九、整形修剪 第二节 常见的温室盆花 草本盆花 木本盆花 观叶盆花 多浆、多肉盆花

第一章 概论 第二章 室内设计与人体工程学 第三章 室内空间设计 第四章 室内空间界面和配套设施的装饰设计 第五章 室内照明设计 第六章 室内色彩设计 第七章 室内陈设与绿化设计

3.3.3成型零件的尺寸计算 二、影响塑件尺寸公差的因素