基于热动力学理论,通过对演化方程的线性稳定分析,确定了1-3型BaTiO3-CoFe2O4(BTO-CFO)多重铁性复合材料中的铁电、铁磁相变温度.考虑系统中基底与薄膜之间及薄膜内铁电相、铁磁相之间的内应力和外应力的弹性耦合,确立了顺电到铁电/铁磁地相变临界温度地解析式.临界温度与两相体积分数、基底、薄膜的晶格尺寸、薄膜两相的材料性能及薄膜厚度都有很大关系.两相的相变临界温度可以通过调节体积分数及薄膜厚度进行控制

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

对BN型易切削钢的冶炼工艺与切削加工性进行了研究.通过实验室热态实验得到不同B、N元素含量的试样,利用理论计算研究试样中主要夹杂物的析出规律,然后对BN夹杂物的形貌、尺寸及组成进行分析,最后对试样进行力学性能测试及切削实验.结果发现在钢中添加B、N元素能够明显改善钢的切削性能,且不影响钢的力学性能

一、单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 二、NMOS电气性能较好，工艺较简单，适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 三、而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点，得到愈来愈广泛的应用。 四、主要介绍NMOS和CMOS门电路

2–1 双极型晶体管的工作原理 2–2 晶体管伏安特性曲线及参数 2–3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2–4 放大器的组成及其性能指标 2–5 放大器图解分析法 2–6 放大器的交流等效电路分析法 2–7 共集电极放大器和共基极放大器 2–8 放大器的级联

利用EAM(Embedded Atom Method)势基础上的等效原子模型分析了结构稳定性与长程有序度的关系,给出了二元体系结合能与长程有序度解析关系的一般表达式,说明当量成分下AB和A3B型合金有序无序转变行为的不同,并以NiAl和Ni3Al为研究对象具体研究了其有序无序转变,从理论上解释了这两种有序金属间化合物在实验中所表现出的不同有序无序转变行为特征

熟悉流量与流速、稳定流体与非稳定流体、牛顿 粘性定律及剪应力与动量传递等流体流动的基本概念； 掌握流体流动的型态及其流动类型判据；掌握圆管内 流体作层流和湍流流动的速度分布；了解流体流动过 程中的边界层以及边界层脱离。 重点：流体的流动型态，流动类型判据，层流与湍流 的比较

主要内容：储存的作用、保管的任务、仓库的 构成；仓库作业流程、物资维护保养、合理化储存 的含义、标志；库存控制的要素、确定型存储模型 以及仓库管理质量的各项指标。 重点掌握：储存的作用、保管的任务、ABC分 类法，确定型存储模型

提出了整体频响函数的新概念(GFRF).以振型平方和的形式对全部频响函数进行加权组合,建立了多输入多输出模态参数的识别模型.仿真验算的分析结果表明,该方法具有精度高,一致性好,能分离密集模态和消除随机噪声等优点,可以应用于大型复杂结构的试验模态分析

一、一般特征 孢子体有根、茎、叶的分化,茎多为二叉分 枝,原生中柱或管状中柱,木质部外始式,小型 叶,延伸起源,螺旋排列或对生,有的具叶舌。 孢子囊单生于叶腋,枝顶形成孢子叶球,孢子同 型或异型。配子体两性或单性