实验一 晶体结构模型分析 一、实验目的 二、实验内容 三、实验原理、方法和手段 四、实验条件 五、实验步骤 六、实验报告要求 实验二 粘土阳离子交换容量的测定 一、实验目的 二、实验内容 三、实验原理、方法和手段 四、实验条件 五、实验步骤 六、思考题 实验三 淬冷法研究相平衡 一、实验目的 二、实验内容 三、实验原理、方法和手段 四、实验条件 五、实验步骤 六、思考题 实验四 电解质对泥浆粘度的影响 一、实验目的 二、实验内容 三、实验原理、方法和手段 四、实验条件 五、实验步骤 六、思考题 实验五 固相反应 一、实验目的 二、实验内容 三、实验原理、方法和手段 四、实验条件 五、实验步骤 六、实验结果与处理 七、思考题

重点：正弦波振荡的条件、正弦波振荡电路的组成及电路产生正弦波振荡可能性的判断方法,桥式正弦波振荡电路的工作原理、振荡频率和起振条件,LC、石英晶体正弦波振荡电路的组成和影响振荡频率的因素；单限、滞回、双限比较器的特点及用途,电压比较器电压传输特性的分析方法；矩形波、三角波、锯齿波振荡电路的波形分析及影响振荡频率、振荡幅值的因素。难点：本章所讲述的电路具有一定的综合性,例如,三角波振荡电路中既含有集成运放工作在线性区的积分运算电路,又含有集成运放工作在非线性区的滞回比较器,因而给学习带来一定的困难

针对亚微米尺度晶体元器件在加工和服役中出现的反常力学行为和动态变形等问题，基于离散位错动力学理论建立了单晶铜塑性变形过程的二维离散位错动力学模型。该模型考虑外加载荷、位错间相互力和自由表面镜像力对位错的作用机制，引入了截断位错速度准则。与微压缩实验对比验证了模型的正确性，并且能够描述力加载描述的位错雪崩现象。应用该模型分析了不同加载方式和应变率下位错演化及力学行为，结果表明：当外部约束为力加载和位移加载时，应力应变曲线分别呈现出台阶状的应变突增和锯齿状的应力陡降，位错雪崩效应的内在机制则分别归结为位错速度的随机性和位错源开动的间歇性；应变率在102～4×104 s?1范围内，单晶铜屈服应力的应变率敏感性发生改变，位错演化特征由单滑移转变为多滑移面激活的均匀变形，位错增殖逐渐代替位错源激活作为流动应力的主导机制

采用共沉淀法制备了Ni(OH)2前驱体材料，通过高温固相法制备了LiNiO2和B掺杂LiNiO2（B的摩尔分数为1%），利用X射线衍射（XRD）、里特维尔德（Rietveld）精修、扫描电子显微镜（SEM）、恒流充放电测试、循环伏安（CV）和电化学阻抗谱（EIS）对材料的晶体结构、表面形貌和电化学性能进行了系统性表征.XRD和Rietveld精修结果表明，LiNiO2和B掺杂LiNiO2均具有良好的层状结构，B因为占据在过渡金属层和锂层的四面体间隙位而导致掺杂后略微增大材料的晶格参数和晶胞体积，同时增大了LiO6八面体的间距，进而促进锂离子运输.由于掺杂的B的摩尔分数仅为1%，LiNiO2和B掺杂LiNiO2均表现为直径10 μm左右的多晶二次颗粒，且一次颗粒晶粒尺寸没有明显区别.长循环数据表明B掺杂可以有效提高材料的循环容量保持率，经100次循环后，B掺杂样品在40 mA·g−1电流下的容量保持率为77.5%，优于未掺杂样品（相同条件下容量保持率为66.6%）.微分容量曲线和EIS分析表明B掺杂可以有效抑制循环过程中的阻抗增长

介绍了模拟结晶器内渣膜形成的实验方法, 综述了国内外学者在保护渣传热方面所做的研究工作, 包括固态渣膜的界面热阻、保护渣的导热系数、辐射传热以及渣膜的光学性质, 并提出了今后在渣膜形成及传热研究中有待进一步完善的内容和方向.现有的研究结果表明利用热丝法可以对渣膜的形成过程进行原位观察, 采用水冷铜探头法可以获取用于研究渣膜微观组织的固态渣膜样品.渣膜的界面热阻在0.0002~0.002 m2·K·W-1之间.在800℃以下, 保护渣的导热系数在1.0~2.0 W·m-1·K-1范围内, 且随温度的升高而逐渐增加.渣膜中的晶体一方面可以增加渣膜的界面热阻, 另一方面可以提高固态渣膜的反射率, 起到降低辐射热流的作用.此外, 过渡族金属氧化物的加入以及固态渣膜中弥散分布的微小颗粒也能改变渣膜的光学性质, 从而影响通过渣膜的辐射传热

采用高温固相法成功制备了 Li2x−ySr1−xTi1−yNbyO3(x=3y/4, y=0.25, 0.5, 0.6, 0.7, 0.75, 0.8) 锂离子固体电解质，并通过X 射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、交流阻抗图谱、恒电位极化等分别研究了各个组分的晶体结构、微观形貌、离子电导率和电子电导率. XRD 显示当 y≤0.70 时，材料为立方钙钛矿型结构，几乎没有杂质相生成. SEM 表明随着掺杂含量 的增加材料的晶粒尺寸逐渐增大. Li0.35Sr0.475Ti0.3Nb0.7O3 锂离子固体电解质有着高离子电导率，为 3.62×10−5 S·cm−1，其电子电导率为 2.55×10−9 S·cm−1，活化能仅为 0.29 eV. 使用以 Li0.35Sr0.475Ti0.3Nb0.7O3 为隔膜的 LiFePO4/Li 半电池经过 100 圈循环后，放电比容量仍有 93.9 mA·h·g−1，容量保持率为 90.72%

采用X射线衍射采集海水鲈鱼鳞片中羟基磷灰石(002)、(130)、(211)面网和鳍骨中羟基磷灰石(031)、(120)、(132)面网极图数据并计算了取向分布函数(ODF)以分析其择优取向特征,其中鳞片极图数据显示出羟基磷灰石结晶学c轴主要有3个择优取向,分别是与鳞片法线方向平行、相交39°和相交63°,而鳍骨极图推测出其羟基磷灰石c轴择优取向大致有五个方向,分别与鳍骨截面法线相交3°、9°、17°、24°和36°.ODF的计算结果表明,鳞片中羟基磷灰石有比较明显的择优取向是结晶学c轴近似平行于鳞片表面,同样,鳍骨ODF中羟基磷灰石择优取向为结晶学c轴近垂直于截面.极图和ODF结果上的差别是由于极图本身是晶体取向的二维投影图,单张极图显示的择优信息不够完整,因此ODF用来解析生物矿物的择优取向特征更为准确.鳞片和鳍骨中羟基磷灰石结构中的择优取向现象是因为生物矿化过程中有机质的调控作用而使结晶学c轴趋向平行胶原纤维长轴方向,并且这种择优特征也是硬体组织具有优良力学性能的要求

目 录 第一章 数字电路基础知识 1.1 数字信号与模拟信号 1.2 数制 1.3 码制 1.4 算数运算与逻辑运算 1.5 数字电路的学习指导 第二章 逻辑函数及其简化 2.1 逻辑代数 2.2 逻辑函数的简化 第三章 集成逻辑门 3.1 晶体管的开关特性 3.2 TTL集成逻辑门 3.3 CMOS集成逻辑门电路 第四章 组合逻辑电路 4.1 组合逻辑电路的分析 4.2 组合逻辑电路的设计 4.3 组合逻辑电路的竞争- 冒险现象 目 录 第五章 触发器 5.1 基本RS触发器 5.2 RS触发器 5.3 JK触发器 5.4 D触发器 5.5 T触发器和T`触发器 5.6 各种触发器功能的比较和电路结构 5.7 触发器的应用 第六章 时序逻辑电路 6.1 时序逻辑电路分析 6.2 时序逻辑电路设计 第七章 数字电路的制图与读图 7.1 数字电路的制图 7.2 数字电络的读图 第八章 半导体存储器 8.1 概述 8.2 顺序存取存储器 8.3 随即存取存储器 8.4 只读存储器 8.5 存储器的应用举例 第九章 可变器件及电子设计自动化软件 9.1 可编程器件 9.2 可编程器件的编程工具及编程模式 第十章 脉冲单元电路 10.1 脉冲信号 10.2 标准集成电路构成的脉冲单元电路 10.3 555定时器及应用 第十一章 数/模转换器和模/数转换器 11.1 数/模与模/数转换器概述 11.2 数/模转换器 11.3 模/数转换器 11.4 集成数/模和模/数转换器件及其应用

绪论 上篇 植物器官形态和显微结构 第一章 植物的细胞 第二章 植物的组织 第三章 植物的器官 第一节 根 第二节 茎 第三节 叶 第四节 花 第五节 果实 第六节 种子 下篇 药用植物的分类 第四章 植物分类概述 第五章 藻类植物 第六章 菌类 第七章 地衣门 第八章 苔藓植物门 第九章 蕨类植物门 第十章 裸子植物门 第十一章 被子植物门 实验： 1、植物界的各大类群 2、植物的细胞构造和显微镜的使用 3、质体与贮藏营养物质 4、晶体 5、保护组织 6、机械组织 7、输导组织和分泌组织 8、根的初生构造 9、根的次生构造和异常构造 10、根和茎的外形 11、茎的初生构造 12、茎的次生构造 13、根状茎和叶的构造 14、叶的形态 15、花的构造 16、花粉和花序 17、果实与种子的形态与构造 18、药用植物腊叶标本制作 19、藻类、真菌、地衣植物（低等植物） 20、苔藓植物和蕨类植物（颈卵器植物） 21、裸子植物 22、双子叶植物纲离瓣花植物之一 23、双子叶植物纲离瓣花植物之二 24、双子叶植物纲合瓣花植物 25、单子叶植物纲植物

聚合物的结晶过程是聚合物分子链由无序的排列转变成在三度空间中有规则 的排列，结晶的条件不同，晶体的形态及大小也不同，结晶过程是合成纤维和塑料 加工成型过程中的一个重要环节，它直接影响制品的使用性能。因此，对聚合物结 晶速度的研究和测定是一件很有意义、很重要的工作。 测定聚合物等温结晶速度的方法很多，其原理都是基于对伴随结晶过程的热力 学、物理或力学性质的变化的测定，如比容、红外、X 射线衍射、广谱核磁共振、 双折射诸法都是如此