利用染料示踪法,采用波高传感器和旋桨式流速仪在全比例水模型中研究了四种浸入式水口(A型:凹型,15°(上角度)-15°(下角度);B型:凸型,15°-15°;C型:凹型,40°-15°,D型:凸型,40°-15°)下板坯连铸结晶器内的流场和液面特征.发现采用凹型水口时结晶器液面的波动与表面流速均小于凸型水口.凹型水口F的表面流速变化的功率(频率为0.03~0.1Hz)比凸型水口小约50%,所以凹型水口更有利于减少结晶器内卷渣的发生.在高拉速条件下(拉速为1.8m·min-1,较大的水口出口上角度有利于抑制水口出口流股的漩涡流,进而减少剪切卷渣的发生.四种水口中C型水口条件下结晶器液面的表面流速最小,约为0.27m·s-1,为提高拉速留有较大余地,所以适合高拉速连铸的最佳浸入式水口为C型

研究了铜铬合金的连续走向凝固的工艺条件及相互之间的匹配关系,以及铜铬合金的显微组织及其表面缺陷形成的原因.结果表明:结晶器高度10~25mm,冷却距离25 mm,合金温度1210~1280℃,牵引速度0.2~1.0mm/s,冷却水量720L/h时,可制得Cu-0.6% Cr合金材料

利用高温高压釜对N80钢进行了两种温度、不同CO2分压下的腐蚀实验.测量了腐蚀速率,观察了腐蚀产物膜的宏观形貌及去除腐蚀产物膜后金属基体的表面状态,用扫描电镜(SEM)观察了腐蚀产物膜的微观形貌并测量了膜的厚度,对在不同条件下成膜的N80钢进行了电化学极化曲线与交流阻抗谱(EIS)分析.结果表明CO2分压升高,腐蚀产物膜保护性能提高,但由于介质的腐蚀性增强,腐蚀速率上升;膜局部缺陷是导致金属基体表面点蚀的主要诱因,CO2分压升高有利于减少65℃时膜表面的局部缺陷;在90℃下腐蚀产物膜的保护性能比65℃下对CO2分压的变化更为敏感

在模拟氧化及酸性土壤条件下,用制备的低聚合羟基铁-蒙脱石复合体进行了砷酸根、铬酸根离子的竞争吸附实验,研究了砷酸根离子和铬酸根离子不同用量及不同添加顺序对竞争吸附的影响,并与蒙脱石和含水氧化铁进行了对比。结果表明,低聚合羟基铁-蒙脱石复合体对砷酸根及铬酸根离子有不同的吸附能力,但在实验条件下砷酸根及铬酸根离子在低聚合羟基铁-蒙脱石复合体表面不发生竞争吸附。砷酸根和铬酸根的吸附顺序对其吸附量有一定的影响。竞争吸附实验的砷酸根、铬酸根吸附量均高于对其单阴离子的吸附量,此现象在复合体表面最为明显,说明复合体具有独特的阴离子吸附性能

为确定硅钢表面缺陷产生的工序,对硅钢裂纹处氧化圆点特性进行了实验研究.运用Gleeble1500模拟热轧裂纹连续降温过程,结果表明Q钢、W20钢热轧裂纹分别在1170℃和1160℃以上会产生细小氧化圆点.铸坯裂纹加热炉过程模拟发现其裂纹附近产生粗大的氧化圆点.能谱分析表明铸坯裂纹相对热轧裂纹来说存在明显的脱硅层,两种裂纹的氧化圆点在形貌、层厚以及氧化圆点附近脱硅性上存在较大差异,这种差别可作为判定硅钢缺陷生成工序的参考依据

采用溶胶凝胶法、粉末涂敷法在导电玻璃上制得纳米TiO2薄膜.X射线衍射实验表明该薄膜主要是锐钛矿相结构,透射电子显微镜测得薄膜晶粒尺寸为30nm左右,扫描电镜观察了薄膜的表面形貌.分析了这两种方法制得的纳米TiO2薄膜所组成的染料敏化太阳电池的性能,提出了一种新的制作纳米TiO2薄膜的方法

采用汞压仪和AMT-2400孔径分析仪,研究纳米硬质合金粉末\桥接\团粒对粉末及其压坯中孔隙体积分布曲线的影响.用沉降分离、高能剪切粉碎。(BET)比表面分析和扫描电镜观察等手段研究了桥接团粒在分离和破碎过程中,相对松装密度和比表面积的变化及高能破碎对粉末成形致密化的影响.结果表明\桥接\团粒会造成不同的孔隙体积分布高峰,高能破碎使粉末的相对松装密度成倍增加,并可使压坯的密度大幅度增加

利用差热分析(DTA)、X-射线分析(XRD)等测试手段,研究了反应火焰喷涂过程中喷涂粉末(Fe-Ti-C体系)的反应机理.研究结果表明,在反应火焰喷涂合成TiC-Fe涂层中,喷涂粉末在飞行过程中的反应是逐步进行的.喷涂距离为125~170mm是发生反应的主要区域.在到达工件表面时,反应已基本结束.因此,与传统热喷涂相比,反应火焰喷涂的优势在于,利用廉价原料一步合成、沉积比较昂贵的涂层材料

根据能量守恒定律,建立了温度场模型.利用边界条件,求解钢板表面流水冷却的换热系数和冲击射流换热系数,从而获得强适应横向冷却曲线的正确形状.采用同直径集管以及不同密度分布的设计方法,使钢板得到均匀的温度分布,获得平直的板形

采用溶胶凝胶-微波法制备LiFePO4/碳纳米管(CNT)复合正极材料.考察不同微波时间和CNT含量对其电化学性能的影响,并通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的晶型结构和表面形貌进行表征.结果表明:掺CNT量为2%(质量分数)和微波18 min所得样品有较好的电化学性能;0.1C充放电的首次放电比容量为142 mAh·g-1,第10次循环的比容量为136 mAh·g-1