通过分析冷镦钢SCM435在温度为950～1150 ℃、应变速率为0.1～1 s-1范围内发生动态再结晶的热/力模拟试验数据,利用其应变硬化速率θ与流变应力σ的θ-σ曲线,准确确定了其发生动态再结晶的临界应变εc、峰值应变εp、临界应力σc和峰值应力σp,用应力-应变(σ-ε)曲线方法计算SCM435钢的动态再结晶Avrami动力学曲线和时间指数n.结果表明:SCM435钢发生动态再结晶的临界应变与峰值应变的平均比值εc/εp=0.73,动态再结晶Avrami时间指数平均值n=1.91;在温度950～1150℃,应变速率0.1～1s-1范围内,应变速率是SCM435钢的动态再结晶动力学敏感因素,温度对其影响不大;动态再结晶率50%的时间t50与应变速率成反比

2.1 数控加工工艺概述 一、数控加工工艺的基本概念 二、数控加工的内容 三、数控加工的步骤 四、数控加工工艺的主要内容 五、数控加工工艺的主要步骤 2.2 数控加工工艺分析 一、数控加工工艺的特点 二、数控机床加工内容的选择分析 三、数控加工零件工艺性分 2.3 数控加工工序设计 一、毛坯的确定 二、工艺路线确定 三、定位夹紧方案的确定 四、刀具的选择 五、切削用量的确定 六、走刀路线的确定 2.4 数控加工的数学处理 一、基点、节点、刀位点的概念 二、基点、节点的数学计算处理 三、切入、切出点的处理 2.5 数控加工工艺文件的制定

模糊隶属度无统一算法,定义存在分歧.根据模糊概念\内涵明确,外延不明确\的特点,定义隶属度为不同外延对内涵的从属程度.在信息系统中,概念的外延用对象表示,内涵由属性表示,由此提出了求解隶属度的新算法:由原始统计数据组成初始信息系统,用粗糙集理论求得其商集并构建集值信息系统;该集值信息系统对应的条件概率空间中的条件概率即为隶属度.广义上信息系统可分为信息系统(无决策属性)和目标信息系统(有决策属性)两类.隶属度也可分为两类:第一类外延对象为内涵属性本身值,如年龄对青年人的隶属度(信息系统);第二类外延对象为不同于内涵属性的另一属性值,如边坡工程安全系数对稳定状态的隶属度(目标信息系统).计算以上两个实例,前者与已有结论作对比验证,后者与函数选择、经典统计方法及贝叶斯公理作对比验证,可知结果可靠,算法可行

§7.1 离子的迁移 1.电解质溶液的导电机理 2.法拉第定律 3.离子的迁移数 §7.2 电解质溶液的电导 1. 电导、电导率、摩尔电导率 2. 电导的测定 3. 电导率和摩尔电导率随浓度的变化 4. 离子独立运动定律及离子摩尔电导率 §7.3 电导测定的应用示例 1. 求算弱电解质的电离度和电离平衡常数 2. 求算微溶盐的溶解度和溶度积 3. 电导滴定 §7.4 强电解质的活度和活度系数 1.离子的平均活度a± 和平均活度系数± 2.影响离子平均活度系数±的因素 §7.5 强电解质溶液理论简介 1. 离子氛模型及德拜-尤格尔极限公式 2.不对称离子氛及德拜-尤格尔-盎萨格电导公式 §7.6 可逆电池 1.可逆电池的必要条件 2.可逆电极的种类 3.电动势的测定 4.电池表示法 5.电池表达式与电池反应的“互译” §7.7 可逆电池热力学 1.可逆电池电动势与浓度的关系——能斯特方程 2. 电动势及其温度系数与电池反应热力学量的关系 3. 离子的热力学函数 §7.8 电极电势 1. 电池电动势产生机理 2. 电极电势 (1) 标准氢电极 (SHE) (2) 任意电极的电极电势数值和符号的确定 (3) 电极电势的能斯特公式 (4) 参比电极 §7.9 由电极电势计算电池电动势 §7.10 电极电势和电池电动势的应用 1. 判断反应趋势 2. 求化学反应的K 3. 求微溶盐的活度积Kap 4. 求离子的平均活度系数  5. 测定pH 6. 电势滴定 §7.11 电极的极化 1. 过电势 2. 电极极化的原因 3. 过电势的测定 §7.12 电解时的电极反应 1.阴极反应（还原反应） 2.阳极反应（氧化反应） §7.13 金属的腐蚀与防腐 §7.14 化学电源简介

第一部分 软件仿真（Simulator）实验 实验一 集成开发环境 CCS 应用基础 实验二 寻址方式 实验三 定点定标运算 实验四 浮点运算 实验五 汇编程序的优化 实验六 C 语言编程与优化（乘法—累加运算程序设计） 实验七 混合编程实验 实验八 FIR 滤波器的实现 实验九 基于 DSP 的数字图像处理算法的实现 第二部分 硬件（Emulator）实验 实验十 片内定时器实验 实验十一 数字 I/O 口的应用 实验十二 同步串口与 A/D 转换 实验十三 基于 DSP 的数字音频处理系统 第三部分 部分实验程序参考清单 实验一参考程序 实验二参考程序 实验三参考程序 实验四参考程序 实验五参考程序 第四部分 参考资料 一、C54xCPU 的存储器映像寄存器及其地址 二、C54xCPU 的状态和控制寄存器 ST0、ST1 三、TMS320C5416DSP 的存储区映像 四、C54xCPU 的处理器模式状态寄存器 PMST 五、C54x 的片内定时器控制寄存器 TCR 六、TMS320C5416 的中断矢量表 参考文献

7.1 投票情况统计 7.2 找出矩阵中最大值所在的位置 7.3 判断回文 本章总结： ◼ 一维数组：  定义、初始化、引用  使用一维数组：选择排序 ◼ 二维数组  定义、初始化、引用  使用二维数组：矩阵 ◼ 字符串  字符数组与字符串  字符串的存储  字符串的操作 ◼ 使用数组进行程序设计 •正确理解数组的基本概念及在内 存中的存放方式； •掌握使用一维数组编写程序； •掌握使用二维数组编写程序； •正确理解字符串的概念，掌握使 用字符串编写程序； •能合理运用数组进行程序设计， 熟练掌握几个常用的算法；

7.1 单片机控制发光二极管的显示 7.1.1 单片机与发光二极管的连接 7.1.2 单片机I/O端口控制发光二极管的编程 7.2 开关状态检测 7.3 单片机控制LED数码管的显示 7.3.1 LED数码管显示原理 7.3.2 LED数码管的显示方式 7.3.3 LED数码管静态显示设计 7.3.4 LED数码管动态显示设计 7.4 单片机控制LED点阵显示器显示 7.4.1 LED点阵显示器结构与显示原理 7.4.2 控制16×16 LED点阵显示屏的设计 7.5 单片机控制LCD 1602液晶显示器的显示 7.5.1 LCD 1602液晶显示模块简介 7.5.2 单片机控制字符型LCD 1602的显示案例 7.6 键盘接口设计 7.6.1 键盘接口设计应解决的问题 7.6.2 独立式键盘的设计 7.6.3 矩阵式键盘的设计 7.6.4 单片机与专用键盘/显示器芯片HD7279的接口设计 7.7 AT89S52单片机与微型打印机TPµP-40A/16A的接口 7.7.1 TPµP-40A/16A微型打印机简介 7.7.2 AT89S52单片机与TPµP-40A/16A的接口设计 7.8 单片机与BCD码拨盘的接口设计

作为片内I/O口的基本应用，本章介绍单片机片内I/O口与常见的输入器件（开关、键盘以及拨盘开关等）以及常见的显示输出器件（发光二极管、LED数码管、LCD液晶显示器和微型打印机）的接口设计与编程。 7.1 单片机控制发光二极管的显示 7.1.1 单片机与发光二极管的连接 7.1.2 单片机I/O端口控制发光二极管的编程 7.2 开关状态检测 7.3 单片机控制LED数码管的显示 7.3.1 LED数码管显示原理 7.3.2 LED数码管的显示方式 7.3.3 LED数码管静态显示设计 7.3.4 LED数码管动态显示设计 7.4 单片机控制LED点阵显示器显示 7.4.1 LED点阵显示器结构与显示原理 7.4.2 控制16×16 LED点阵显示屏的设计 7.5 单片机控制LCD 1602液晶显示器的显示 7.5.1 LCD 1602液晶显示模块简介 7.5.2 单片机控制字符型LCD 1602的显示案例 7.6 键盘接口设计 7.6.1 键盘接口设计应解决的问题 7.6.2 独立式键盘的设计 7.6.3 矩阵式键盘的设计 7.6.4 单片机与专用键盘/显示器芯片HD7279的接口设计 7.7 AT89S52单片机与微型打印机TPµP-40A/16A的接口 7.7.1 TPµP-40A/16A微型打印机简介 7.7.2 AT89S52单片机与TPµP-40A/16A的接口设计 7.8 单片机与BCD码拨盘的接口设计

参照实际转炉脱磷炉渣,配制了不同F、P2O5、FeO和MgO含量及碱度的渣样,用化学分析方法测试了不同组分对渣中磷的枸溶率的影响规律.结果表明:当脱磷渣中含有F时,P主要与F形成氟磷灰石,使得磷的枸溶率随渣中F含量的升高而急剧降低,当不含氟时枸溶率可达92.5%,当氟质量分数达到0.5%时枸溶率已降低到50%以下;随碱度增加,由于渣中Ca2+含量增加,破坏了硅氧网络结构,使得枸溶率有所上升;渣中MgO含量升高,由于Mg2+在熔融冷却过程中会抑制β-Ca3(PO4)2晶体的析出,而β-Ca3(PO4)2中磷不易为质量分数为2%的柠檬酸液溶出,而使枸溶率有所升高;随渣中P2O5含量升高,由于P5+与O2-形成络离子,P5+位于O2-密集形成的间隙中,不易溶出,使得枸溶率有所下降;渣中FeOn升高,枸溶率随之降低

基于采用较高液固比(20:1)的实验条件,避免了因硅酸钠与铝酸钠反应形成水合铝硅酸钠(钠硅渣),可将氧化铝熟料溶出二次反应动力学过程分为SiO2进入铝酸钠溶液和Al2O3损失两个动力学过程,详细研究了SiO2进入铝酸钠溶液过程的动力学行为.通过选择合适的动力学模型对实验数据进行处理,获得了该过程的动力学方程.方程表明,该过程的表观活化能较小,仅为24.86kJ·mol-1,说明其过程发生需要突破的活化能能垒较小,相应反应较易发生,其动力学机理与表面化学反应有关,也与扩散有关.铝酸钠溶液中Al2O3质量浓度对过程的影响远远大于铝酸钠溶液中Na2CO3质量浓度和NaOH质量浓度的影响,因此认为熟料溶出过程中,导致SiO2进入铝酸钠溶液的原因主要是熟料中的硅酸钙与NaAl(OH)4相互作用