(1) 了解电极电势的概念，能用能斯特方程式进行有关计算 (2) 能应用电极电势的数据判断氧化剂还原剂的相对强弱及氧化还原反应自发 进行的方向和程度。了解摩尔吉布斯焓变与原电池电动势，标准摩尔吉布斯 自由能变与氧化还原反应平衡常数的关系。 (3) 了解电解、电镀、电抛光的基本原理,了解它们在工程上的应用。 (4) 了解金属腐蚀及防护原理

第1章 病原生物与我们共存 第2章 病原生物的昨天、今天和明天

教学内容 备注 1、绪论 2、原核微生物:原核微生物细胞 3、原核微生物:细菌的分类和鉴定、真细菌 4、原核微生物:放线菌、蓝细菌和古细菌 5、真核微生物:真核细胞与原核细胞结构的异同、真菌基本 形态、菌落特征 6、真核微生物:真菌及其他真核微生物 7、真核微生物:单细胞藻类、原生动物 病毒:概念、大小、形态及特征

一、单项选择题(每小题1分,共10分) 1.前苏联教育家马卡连柯所倡导的“平行教育”的德育原则是指() A.知行统一原则 B.尊重信任与严格要求相结合原则 专业: C.教育影响的一致性与连贯性原则 D.集体教育与个别教育相结合的原则

一、氧化还原反应的基本概念 1基本概念(氧化数、氧化性、还原性等) 2氧化还原反应方程式的配平 二水溶液中的氧化还原反应和电极电势 1原电池的定义、组成、表示方法 2标准电极电势(Electrode Potential) 3电池的电动势和吉布斯自由能的关系

2.1 真空热蒸发镀膜技术 2.1.1 真空热蒸发镀膜的原理 2.1.2 真空热蒸发镀膜的方式及特点 2.2 溅射镀膜技术 2.2.1 气体放电原理 2.2.2 溅射现象 2.2.3 溅射镀膜技术分类及特点 2.3 化学气相沉积技术 2.3.1 CVD原理 2.3.2 CVD技术种类及特点 2.4 光刻技术 2.4.1 光刻原理 2.4.2 光刻工艺概述 2.4.2 光刻胶 2.4.3 对位和曝光 2.4.4 显影 2.5 刻蚀 Eching 2.5.1 刻蚀工艺的品质因数 2.5.2 湿法刻蚀 2.5.3 干法刻蚀

1. PLD期间的发展历程 2. PLD器件的基本结构 3. 基于存储器的PLD器件原理 4. PLA和PAL器件原理 5. GAL器件原理 6. CPLD器件原理 7. FPGA原理 7. Altera公司的PLD器件综述 8. Xilinx公司的PLD器件综述 9. Lattice公司的PLD器件综述 10. PLD器件的配置与编程 11. PLD器件中的JTAG技术和ISP技术

5.4 常用的氧化还原滴定法 5.4.1 高锰酸钾法 5.4.2 重铬酸钾法 5.4.3 碘量法 5.4.4 溴酸钾法及铈量法 5.5 氧化还原滴定的计算

5.4 常用的氧化还原滴定法 5.4.1 高锰酸钾法 5.4.2 重铬酸钾法 5.4.3 碘量法 5.4.4 溴酸钾法及铈量法 5.5 氧化还原滴定的计算

4.2热膨胀 4.2.1非简谐振动 1.简谐近似 简谐近似:当原子离开其平衡位置发生位移时,它受 到的相邻原子作用力与该原子的位移成正比。 设在平衡位置时,两个原子间的互作用势能是:U(a); 产生相对位移δ后,两个原子间的互作用势能是:U(a+δ ) 将U(a+δ)在平衡位置附近用泰勒级数展开如下: