9.1 三相电源 9.2 对称三相电路 9.3 不对称三相电路示例 9.4 三相电路的功率

5-1引言 5-2平面弯曲时梁横截面上的正应力 5-3梁横截面上的剪应力 5-4梁的正应力和剪应力强度条件·梁的合理截面 5-5非对称截面梁的平面弯曲·开口薄壁截面的弯曲中心 5-6考虑材料塑性时的极限弯矩

一、空间直线的一般方程 二、空间直线的对称式方程与参数方程 三、两直线的夹角 四、直线与平面的夹角 五、小结思考题

• 交流电机基本结构 • 交流电机共性问题 • 交流（电枢）绕组的基本要求 • 交流绕组的基本参数 • 简单交流对称绕组 • 鼠笼结构交流绕组 • 磁极绕组

◆掌握z变换及其收敛域,掌握因果序列的概念及判断方法 ◆会运用任意方法求z反变换 ◆理解z变换的主要性质 ◆理解z变换 Laplace与/Fourier变换的关系 ◆掌握序列的 Fourier变换并理解其对称性质 ◆掌握离散系统的系统函数和频率响应,系统函数与差分方程的互求,因果/稳定系统的收敛域

第五章5-3实与复二次型的分类 1.复、实二次型的规范形 定理复数域上的任一二次型f在可逆变数替换下都可化为规范形 zi+…+z, 其中r是f的秩.复二次型的规范形是唯一的. 证明复数域C上给定二次型) f=, x,x, ( =ai 设它在可逆线性变数替换X=TZ下变为标准型 d1z2+d2z2+…an 这相当于在C上n维线性空间V内做一个基变换 (n2n)=(1,2EnT 使对称双线性函数f(a,B)在新基下的矩阵成对角形

一、理解静电场中导体处于静电平衡时的条件,并能从静电平衡条件来分析带电导体在静电场中的电荷分布。 二、了解电介质的极化及其微观机理,了解电位移矢量D的概念,以及在各向同性介质中,D和电场强度E的关系.了解电介质中的高斯定理,并会用它来计算对称电场的电场强度。 三、理解电容的定义,并能计算几何形状简单的电容器的电容。 四、了解静电场是电场能量的携带者,了解电场能量密度的概念,能用能量密度计算电场能量

二、等效法 三、相量图的辅助解法 6.6 正弦稳态电路的功率 一、一端口电路的功率 二、最大功率传输条件 6.7 含耦合电感与理想变压器 电路的正弦稳态分析 一、回路法分析 二、一次侧、二次侧等效电路 三、T形去耦等效电路 4.8 三相电路 一、对称三相电源 二、Y－Y电路分析 三、Y－Δ电路分析 6.1 正弦量 一、正弦量的三要素 二、正弦量的有效值 三、相位差 6.2 正弦量的相量表示 一、正弦量与相量 二、正弦量的相量运算 6.3 电路定律的相量形式 一、无源元件VAR的相量形式 二、KCL与KVL的相量形式 6.4 阻抗与导纳 一、阻抗与导纳 二、正弦稳态电路相量模型 6.5 正弦稳态电路的相量分析法 一、方程法

本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿方向拉长的片状沉淀物。随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成\星形\位错群。稜柱位错的稜柱面是{111}晶面,柏氏矢量是a╱2。发射方向是方向,位错线是方向

采用MTS®热机械疲劳电液伺服试验机研究了4Cr5MoSiV1热作模具钢400~700℃范围内拉压对称机械应变控制的同相及反相热机械疲劳行为.结果表明：当应变幅为±0.50%时，4Cr5MoSiV1钢反相热机械疲劳寿命约为同相的60%；无论同相还是反相加载，应力-应变滞后回线均呈现不对称性，同相加载时表现为平均压缩应力，反相加载时表现为平均拉伸应力.两种加载方式下，最大应力与最大应变及峰值温度均不同步，在高温半周出现应力松弛现象.此外，高温半周呈现持续循环软化，而低温半周呈现初始循环硬化，随后持续循环软化的特征.同相加载时断口以主裂纹、撕裂脊和准解理特征为主，裂纹少而深；反相加载时断口以疲劳条纹和大量的凹坑特征为主，裂纹多而浅